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- 2019-05-31 发布于天津
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原理技料一原理在早期的程中只有被用在金薄膜程中用加的方式用沉金薄膜的方式也被泛的使用子束蒸系的就是了要沉高度的其他金一的熔很低大是氏度左右其沸氏都相的低所以在低下就很容易化早期用蒸的方式沉金膜用以形成和之金如一一二子束蒸相於蒸的方式子束蒸的方法有其下列的可聚焦的子束能局部加元素源因不加其他部分而避免污染高能量子束能使高熔元素附一到足高以生量的蒸二蒸的坩三整的示意二三四四子束位坩示意一可直流源供後在真空下的游子便因的吸引而加速的射出如四中加速的我只要改加速的大小就可以改子束射到坩的位置假子束平行的
E-Gun原理與技術資料
一 原理:
在早期的IC製程中,只有鋁被採用在金屬薄膜製程中,用加熱的方式用來沉積鋁金屬薄膜的方式也被廣泛的使用。電子束蒸鍍系統的開發就是為了要沉積高純度的鋁與其他金屬。
(一)
Thermal Evaporation
鋁的熔點很低,大約是攝氏660度左右與其沸點為攝氏2519鍍都相當的低,所以在低壓下就很容易將鋁氣態化。早期用熱蒸鍍的方式來沉積鋁金屬膜用以形成閘極和連線之金屬層。如圖(一)。
圖一
(二)
電子束蒸鍍 (E-Gun Evaporation)
相較於熱蒸鍍的方式電子束蒸鍍的方
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