晶体生长的基本规律.pptVIP

第2章 晶体生长的基本规律 主要教学内容 晶体生长* 晶面的发育* 影响晶体生长的外部因素 晶体生长技术简介 ⑴气-固结晶作用 ①从溶液中结晶 溶液过饱和 △c = c – ceq △c：绝对过饱和度； c：溶液浓度；ceq ：溶解度 通过化学反应生成难溶物质 CaNO3+Na2CO3=CaCO3 ↓ + NaNO3 Ca(OH)2+H3PO4= Ca5(PO4)3(OH) ↓ +H2O ②从熔体中结晶 条件：熔体过冷却 △T = Tf – T ； Tf ：熔点； T ：熔体温度； △T： 绝对过冷度， 同质多像转变 石墨在高压条件下转变为金刚石。 固相反应结晶 CaO+SiO2=Ca2SiO3 重结晶 脱玻化 晶体形成的三个阶段 介质的过饱和或过冷却阶段； 成核阶段； 生长阶段。 晶体的理想生长过程 在晶核的基础上，逐行生长，直到长满一层面网，再长相邻面网，如此逐层向外推移； 生长停止后，最外层面网就是实际晶面，相邻面网的交棱就是实际晶棱。 蓝宝石中的六方环状生长纹 层生长理论可以解释的现象 晶体的几何多面体形态 晶体中的环带构造 某些晶体内部的沙钟构造。 同种晶体的不同个体，对应晶面间的夹角不变。 ⑶晶体的螺旋状生长 实际晶体往往为面网密度大的面网所