第4章 工艺及器件仿真工具ISE-TCAD.ppt

* */102 收敛问题 是否真不收敛？ 查看输出文件（**.out） 误差项有逐渐减小的趋势，一般可以通过增加迭代次数、减小仿真步长等手段使其收敛。（只要仿真步长、迭代次数设置得不是很离谱，一般不会有此问题） 误差项逐渐增大，或呈振荡状，则是真正的不收敛。 浙大微电子 * */102 不收敛的原因 工艺仿真结果不好 数学算法不好 物理模型或参数设置不准确 初始条件不好 浙大微电子 * */102 工艺仿真引起的不收敛 浙大微电子 * */102 数学算法不好 采用牛顿迭代还是其他的迭代方式（Jacobian） 迭代次数和步长减少次数合理设置 误差控制 浙大微电子 主要模型简介 1. 漂移-扩散传输模型 适用于恒温下，在指定器件中特定边界条件下的自对准耦合泊 松方程和载流子连续方程（电子或空穴）。这种模型适合于低 功率密度的大器件仿真，如0.25 ?m的低电平振荡MOSFET。 2. 流体动力学传输模型 适用于仿真器件击穿，仿真衬底电流，仿真0.18 ?m以下深亚 微米MOSFET器件、异质结器件、部分耗尽层SOI MOSFET。 3. 密度梯度传输模型 密度梯度传输模型主要用来仿真纳米级器件、量子阱和SOI结 构等，如深耗尽的SOI、双栅SOI及FinFET器件。 * */102 浙大微电子 小信号AC分析 对MOSFET进行AC仿真可以得到： 曲线1，栅电容； 曲线2，栅到接触孔电容； 曲线3，栅到体区的电容随电压变 化的函数； DESSIS可计算复杂的小信号Y矩阵。Y矩阵描述在不同的连接点提供电压信号时电流的变化。 ? i = Y · ? v = (A + jωC ) · ? v * */102 浙大微电子 */102 * 浙大微电子 * * * */102 器件网格的建立 细化条件设置过之后的下一个步骤就是建立网格。点击Build Mesh就可以建立，MDRAW会自动按照最适合的方式建立，如果建立的时间太长，那么有可能是现有的网格形态有问题或定义的网格过密。 MDRAW将会自动的将与器件名称相同的内部、 外部命令文件调入，通过Build Mesh建立默认网 格，最后将网格保存，为器件仿真提供所需求的 网格。 浙大微电子 * */102 MDRAW产生的网格图 浙大微电子 * */102 本章内容 ISE-TCAD简介 工具流程平台GENESISe 工艺仿真以及网格优化工具 2D工艺仿真工具DIOS 2D网格优化工具MDRAW 器件仿真工具 2D3D器件仿真工具DESISS 浙大微电子 * */102 DESSIS简介 DESSIS软件是支持一维、二维、三维半导体器件的多维、 电热、混合模型的器件和电路仿真器； 它能够仿真从深亚微米MOSFET到大功率双极型器件等多 种半导体器件，同时支持多种高级物理模型和数学解析方法； DESSIS软件还支持SiC和III-V族混合结构的同质和异质结 器件的仿真； DESSIS软件既可以仿真单独一个半导体器件的电学特性， 也可以几个器件合成一个电路的电学特性。 终端电流[A]、电压[V]、电荷[C]可以通过解物理器件方程 组得到最终的结果，这些方程包括载流子分布方程也有电导机制方程。 浙大微电子 * */102 DESSIS特性： 具有丰富多样的半导体器件物理和影响模型（漂移－扩散的、热力学的和流体动力学的模型）; 支持不同的器件结构（一维、二维、三维和二维圆柱）; 具有多种非线性仿真解决办法; 支持混合模式仿真，其电热的网表可以有基于网格模拟的器件模型，也可以有SPICE电路模型（三种类型的仿真：单器件仿真、单器件和电路网表的仿真、多器件和电路网表的仿真）。 浙大微电子 * */102 三种仿真类型： 浙大微电子 * */102 器件仿真所需文件 网格文件包括整个器件每一区域的详细定义，即边界、材料类型、电接触位置等等。网格文件还描述器件区域的网格和网格之间的连接关系。 掺杂文件主要是器件属性的定义，包括掺杂分布、网格点的数据格式等。 浙大微电子 * */102 标准MOSFET结构的仿真文件图示 边界和网格 二维掺杂分布 浙大微电子 * */102 器件网格的创建 对于最优化的仿真，最理想的结果是：产生的网格必须在 允许的精度下具有最小数量的网格节点。同时，还要依据仿真 的类型确定优化的网格。 为了产生最合适的网格，以下这些区域的网格必须密集化： 高电流密度（MOSFET沟道、双极型晶体管基区） 高电场强度（MOSFET沟道、MOSFET漏区、耗尽区） 高电荷产生区（SEU alpha粒子、光束） 浙大微电子 * */10