CuInSe2氰桥混配物复合修饰光电极的制备及其光电性质-应用化学.PDF

第２９卷 第８期 应 用 化 学 Ｖｏｌ．２９Ｉｓｓ．８ ２０１２年８月 　　　　　　　ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＡＰＰＬＩＥＤＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　　　　　　　 Ａｕｇ．２０１２ ＣｕＩｎＳｅ／氰桥混配物复合修饰光电极的 ２ 制备及其光电性质  李婷婷　马永钧 　刘　婧　何春晓　周　敏　彭　波 （甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室，西北师范大学化学化工学院　兰州７３００７０） 摘　要　利用电沉积法在氰桥混配物预修饰的玻璃碳电极上再沉积ＣｕＩｎＳｅ半导体材料，制备了一种复合型 ２ ２＋ ３＋ ２－ 修饰光电极（ＥｕＦｅＭｏ／ＣｕＩｎＳｅ）。以含Ｃｕ 、Ｉｎ 、ＳｅＯ 及柠檬酸钠的酸性水溶液为电镀液，通过优化寻找 ２ ３ 到电镀液中最佳的Ｃｕ∶Ｉｎ∶Ｓｅ料液比例，用恒电位电沉积法可以制备出具有良好光电效应的复合型修饰光电 极。用ＳＥＭ、ＥＤＳ技术对复合修饰光电极的表面形貌及其修饰材料的元素组成进行了表征；以６０Ｗ的普通日 光型白炽灯为光源，采用开路电压和计时安培法研究了该复合修饰光电极的光电性质。测得该光电极的响应 －６ ２ 光电压大于３０ｍＶ，响应光电流密度大于８９×１０ Ａ／ｃｍ。实验结果表明，该复合修饰光电极呈现典型ｐ型 半导体的光电性质。 关键词　ＣｕＩｎＳｅ，光电极，光电性质，氰桥混配物 ２ 中图分类号：Ｏ６５７．１　　　　　文献标识码：Ａ　　　　　文章编号：１００００５１８（２０１２）０８０９５４０８ ＤＯＩ：１０．３７２４／ＳＰ．Ｊ．１０９５．２０１２．００４０５ ［１］ 三元合金ＣｕＩｎＳｅ是一种类似黄铜矿结构，能隙为１１ｅＶ的半导体材料 ，ＣｕＩｎＳｅ薄膜是极具潜 ２ ２ ［２３］ ［４５］ 力的光电材料 ，也是一种高效能的太阳能电池材料 。据目前的报道，它对光的吸收转换可达到 ［６］ ５ －１ ［７８］ ２０％ ，具有较高的光吸收系数（达１０ｃｍ ） ，通常只需１～２ ｍ即可满足作为太阳能吸收层的要 μ ［９１０］ 求，其光电转换效率高、寿命长，抗辐射能力强，而且生产成本比单晶体硅低 ，这些优点使得ＣｕＩｎＳｅ ２ 薄膜太阳能电池成为当今光伏能源研究领域的热点。同时，ＣｕＩｎＳｅ材料因其具有稳定、高效、低成本和 ２ 环保等特点而受到国内外光伏材料研究者的重视［１１１２］。 ＣｕＩｎＳｅ薄膜的制备方法主要有真空蒸发法、磁控溅射法、脉冲激光沉积法和电沉积法［１３２１］等。在 ２ 各种ＣｕＩｎＳｅ制备方法中，溅射、真空蒸镀等物理气相沉积法（ＰＶＤ）需要昂贵的真空设备和复杂的制备