CuAlO陶瓷靶材的制备及其性能研究-公开课件.pptVIP

CuAlO2陶瓷靶材的制备及其性能研究;引言;试验多采用陶瓷靶材通过磁控溅射和脉冲激光沉积技术来制备CuAlO2薄膜。结构和性能良好的CuAlO2靶材是制备高质量薄膜的先决条件。本试验设计了正交实验(见表1)来研究高温固相烧结温度和时间对CuAlO2靶材的结构、密度以及电导率的影响。 ;试验;结果与讨论;密度测试分析 图2为陶瓷靶材密度测试结果,陶瓷靶材的密度采用阿基米德排水法测量,计算公式为:ρ=ρ0m0m0-m(1)式中:ρ为陶瓷密度,m0为陶瓷在空气中质量,m为陶瓷在水中质量,ρ0为蒸馏水的密度。1#、2#、3#样品在1 100℃温度进行烧结时,规律性比较明显,烧结时间越长,CuAlO2陶瓷靶材密度越低,该温度下随着时间延长小晶粒团聚成大晶粒的同时晶粒间的空隙增大,密度反而减小; 4#~6#样品及7#~9#样品分别提高烧结温度到1 150℃和1 200℃,随烧结时间延长,密度先增大后减小,其中5#样品(烧结温度为1150℃时间为10h)具有最大密度,为4·829 9g·cm-3,约为理论密度5·099 2g·cm-3的95%。从4#~9#样品可以看出, 5h烧结时间不能获得高密度的CuAlO2靶材, 10h烧结时间获得了较为理想的晶粒尺寸和靶材密度。随着时间再增加,陶瓷内部出现气孔微增的倾向,同时晶粒尺寸过大致使靶材密度反而降低。所以,烧结温度为1 150℃