无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状.pdf

激光与光电子学进展 52, 030003(2015) Laser Optoelectronics Progress ©2015《中国激光》杂志社 无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状 1 1 1 2 2 3 林 涛 孙 航 张浩卿 林 楠 马骁宇 王勇刚 1西安理工大学自动化与信息工程学院,陕西西安 710048 2 中国科学院半导体研究所,北京 100083 3 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安 710119 摘要 自量子阱混杂发现以来，其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中，无杂质空位 扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料 系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD研究和应用现状。 关键词 材料;量子阱混杂;IFVD;介质膜;量子点 中图分类号 TN304.2 文献标识码 A doi: 10.3788/LOP52.030003 PresentStatusofImpurityFreeVacancyDisordering ResearchandApplication 1 1 1 2 2 3 LinTao SunHang ZhangHaoqing LinNan MaXiaoyu WangYonggang 1DepartmentofElectronicEngineering,Xi′anUniversityofTechnology,Xi′an,Shaanxi 710048,China 2InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,Beijing 100083,China 3StateKeyLaboratoryofTransientOpticsandPhotonics,Xi′anInstituteofOpticsandPrecisionMechanics, ChineseAcademyofSciences,Xi′an,Shaanxi 710119,China Abstract Withthediscoveryofquantumwellintermixing(QWI),ithasmadetremendousprogressoverthepast fewyears.AmongalltheapproachesofQWI,meticulousresearchesandwiderangeofapplicationsareacquiredin impurityfreevacancydisordering(IFVD)owingtoitsuniquemerits.PresentstatusofIFVDresearchandapplication iscomprehensivelyanalyzedfromtheaspectoftheory,dielectricfilms,materials,quantumdotsandapplications. Keywords materials;quantumwellintermixing;IFVD;dielectricfilm;quantumdots OCIScodes 140.2020; 160.3080;230.5590;240.0310 1 引 言 量子阱混杂(Q