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镍表面上CO和H2的吸附脱附速度* 山田太郎 翟润生* （日本东京大学物性研究所） （中国科学院大连化学物理研究所） 岩泽康裕 田丸谦二 （日本东京大学理学部化学科） （日本东京理科大学理学部） 提 要 利用同位素跳跃技术和闪脱技术测得了CO和H2在多晶Ni箔上的净吸附和净脱附速度。 发现在Ni箔上吸附CO时，存在吸附促进脱附现象。但当吸附H2时，则不发生此现象。表面上 吸附的COa（）的脱附被气相H2g（）稍微加速 V（C (NCO.PH2 o），H的吸附减少了CO(a) 吸附量。气相中COg（）也促进了表面上H(a)的脱附V（H-(NH,PCO)0），但表面上的 CO(a)并不促进Ha（）的脱附V（H-(NH,NCO)0），这可能由于吸附绞时COg（）和H(a)发生 了相互作用。 人们研究了第 族金属上CO和H2的吸附，提出了甲烷化等反应机理[1,2]。实际上，测 量吸附进行中的净吸附和净脱附速度的报道很少。本文利用同位素跳跃等技术[3]测得了 多晶Ni表面上CO和H2共吸附的净吸附和净脱附速度。 CO和Hz的各自净吸附速度V和净脱附速度V可以分解成与吸附量NCO，N 以及气 相压强PO，P2有关的若干分速度。例如CO的净脱附速度可分解为如下分速度： VC=VC(NCP) 热脱附分速度 +VC(NCO,PCO) 吸附促进脱附分速度 +VCO(NCO,PH2 H2(g) 交叉脱附分速度 +VC-(NCO,NH) H(a)促进脱附分速度 +其他12种 其他12种分速度 上述净脱附速度的各分速度，可以利用切换相应同位素气体而保持系统压强不变的 情况下，测量来自表面的脱附量得到。本文利用同位素跳跃和升温脱 附技术测量了脱附 的各个分速度。 实 验 部 分 实验在装有四极质谱Q（MS）、程序温度控制器、俄歇电子能谱(AES)等的超高真空 系统中进行，图1为实验装置的草图。超高真空系统的体积为15升，极限真空低于 1984年12月3日收到。 *本文主要内容曾于1984年10月在日本东京召开的触媒研究发表会上宣读。 ** 通讯联系人。 10-7aＴ在试验压强范围内(.×?1-～?1.3×?105a)，测獾得梅肿游辛鞅枚訡O宓的某 速恒定在SCO=61l/s，对H2和D2宓某樗俸愣ㄔ赟H2，珼D2=58.6l/s。ES和虯r离胱忧褂 来检测和轰击样品，目的在于获得于净Pd(100)砻婧图觳釹改男院蟮腜d100)-S表砻面。 装置上还装有B-A计和超高真空微漏阀。 样品上连有温度控制和测量装置，能获得室温以上的任一所需温度，并能获得可调的 高达150K/s的线性升温，稳定性和重复性很好。热偶为CA型。样品为多晶Ni箔.(03mmO 厚，面积为1.4cm2)。试验用气体CO，H2，D2是从商品钢瓶中得到，气体C18O荘Prochem B.O.C.静罚慷任?9％ァ 利用同位素技术测量V+蚔-南晗腹碳南譡3。Ｏ下面以C吸附为例简述其过 程。CO的吸附过程可表示如下： 显然，总吸附速度V和净吸附速度V+约熬煌迅剿俣萔-墓叵滴 首先把样品处理干净，在温度Tǎ＜?500K┫缕芈对谘骨课狿P?（13?10-6Pa＜糚P＜?. 10-5Pa）┑腃C18气氛中到絫1保焖伲?1～?3s）把气相气体换成相同压强P的CO，经t2t2＞ 5s)螅蒙镣鸭际醪獾肅O和虲18O的表面浓度N和N* Ｊ匝橹っ鳎玫降腘N蚇N*馗葱 很好。在此温度和压强范围之外，测量是困难的，因为本底太大，降低了N的测量精度，也 因为吸附达到平衡太快以致不能测 量。图2示出了试验过程 中样 品温