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蠕变;1 蠕变现象和蠕变曲线
当温度T≥(0.3~0.5)Tm(Tm为熔点,单位为K)时,金属材料在恒载荷的持续作用下,发生与时间相关的塑性变形,称为蠕变。
相应的应变与时间关系曲线称为
蠕变曲线。
金属材料的典型蠕变曲线
如图(1)所示。
; 2 蠕变产生的机理
蠕变理论的基础是晶体缺陷的运动, 各种形式的晶体缺陷的运动都与热活化控制相关。
针对材料的高温蠕变,提出了解释材料产生蠕变的三种机理,分别为扩散蠕变机理、晶格机理和晶界滑移机理。
; 1)扩散蠕变机理
该机理认为材料内部的空位浓度差是产生蠕变的主要原因; 并且认为空位浓度的变化量与材料的外加应力成正比, 同时晶界对空位的消失和产生起主要作用。
由于位错、晶界等非平衡缺陷的存在,在外界应力的作用下,实际材料中原子的力化学势场 分布并不均匀相等,从而导致??同区域之间原子扩散流的产生,材料发生扩散蠕变。;晶界上的张应力使空位的浓度增加到
c=c0exp(??/kT)
压应力使浓度减少到:
c=c0exp(- ?? /kT)
式中: ?为空位体积,c0为平衡浓度。
应力造成空位浓度差,质点由高浓度向低浓度扩散,即原子迁移到平行于压应力的晶界,导致晶粒伸长,引起形变。
;2)晶格机理
晶格机理是由于晶体内部的自扩散而使位错进行攀移。在一定温度下,热运动的晶体中存在一定数量空位和间隙原子;位错线处一列原子由于热运动移去成为间隙原子或吸收空位而移去;位错线移上一个滑移面。或其他处的间隙原子移入而增添一列原子,使
错位线向下移一个滑移面。
位错在垂直滑移面方向的运动称
为位错的攀移运动,见图(3)。;实际生产中利用位错的爬移运动来消除位错。
位错爬移时,应变速率:
U=A?nexp(-Q/RT)= A?nexp(?S /R)exp(- ?H/RT)
式中,Q为自扩散激活能;△S为熵;△H为自扩散激活焓。 该方程为杜恩和魏脱迈方程。
位错爬移是第二阶段蠕变的发生机理,当温度、应力恒定时,应变速率为一常数。
滑移和爬移的区别:滑移与外力有关;爬移与晶体中的空位和间隙原子有关。;3)晶界蠕变理论
晶界对蠕变速率有两种影响:①高温下,晶界能彼此相对滑动,使剪应力得到松弛;② 晶界本身是位错源,离晶界约为一个障碍物间距内的位错会消失。
说明:
大角度晶界是晶格匹配差的区域,可以认为是晶粒之间的非晶态结构区域。
在高温下,晶界表现为粘滞性
扩散蠕变与晶界蠕变是互动的。如果蠕变由扩散过程产生,为了保持晶粒聚在一起,就要求晶界滑动;另一方面,如果蠕变起因于晶界滑动,要求扩散过程来调整。
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