模拟电子技术高效应用基础课件分析方法及基本电路.pptVIP

2.4 静态工作点稳定电路 作业2-3 P131: 2.13 2.5 共集电极及共基极放大电路 作业2-4 P132: 2.17 2.6 复合管 作业2-5 P135: 2.24 * * 所谓的稳定静态工作点Q，是指在环境温度变化时静态集电极电流IC和管压降VCE基本不变。 静态工作点很容易受到外界条件的影响而移动，甚至移到不合适的位置而使放大电路无法正常工作。 静态工作点不稳定因素很多，如电源电压变化、电路参数变化、管子老化、环境温度的变化等。 β：随温度的升高而增加，原因：温度升高，加快载流子的速度，基区复合减少，往集电区流的载流子增多。 VBEQ：随温度的升高而减少。 ICBO：随温度的升高而增加。对硅管，该变化很小，所以对静态工作点的影响没有上两个因素重要。但对大功率硅管不能忽略。对锗管该变化也很重要。 20℃ 40℃ 选择Rb1和Rb2，使I1IB,这时基极电位VB=Rb2VCC/(Rb2+Rb1)基本稳定。对硅管取 I1=（5~10）IB VB=（3~5）VBEQ Q点稳定原理：温度升高→ IC增加→ IE增加→VE上升 →VBE=VB-VE减小→IB自动减小 → IC减少→ 静态工作点基本稳定。 ⑴分压式偏置电路 利用二极管的反向特性进行温度补偿 （反向电流随温度的升高而增加） ⑵温