热平衡时的能带和载流子浓度讲义.pptVIP

第2章 热平衡时的能带和载流子浓度;本征半导体：半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴。;F(E)在费米能量EF附近呈对称分布。 对于能量为E的能态被电子占据的概率，可近似为： 对于能量为E的能态被空穴占据的概率;右图由左到右所描绘的是能带图、态密度N(E)、费米分布函数及本征半导体的载流子浓度。;经过数学推导可得，导带的电子浓度为 ;本征载流子浓度ni：本征半导体，导带中每单位体积的电子数与价带中每单位体积的空穴数相同，即n=p=ni，ni称为本征载流子浓度，;其中，Eg=EC-EV。室温(300K)时，硅的ni为1010cm-3量级，砷化镓的ni为106cm-3量级。上图给出了硅及砷化镓的ni对于温度的变化情形。禁带宽度越大，本征载流子浓度越小；温度越高，本征载流子浓度越大。 ;非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，而且引入杂质能级。;受主：当一个带有3个价电子地硼原子取代硅原子时，需要接受一个额外的电子，以在硼原子四周形成4个共价键，也因而在价带中形成一个带正电的空穴。此即为p型半导体，而硼原子则被称为受主。;Sb P As Ti C Pt Au O;非简并半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即费米能级EF至少比EV高3kT，或比EC低3kT的半导体。这是在前面的数学推导中满足的假设条件。;施主浓度越高，能量差(EC-EF)越小，即费米能级往导带底部靠近。同样地，受主浓度越高，费米能级往价带顶端靠近近。;下图显示如何求得载流子浓度的步骤（注意np=ni2），其步骤与求本征半导体载流子浓度类似。但在此例中费米能级较接近导带底部（n型），且电子浓度（即上半部阴影区域）比空穴浓度（下半部阴影区域）高出许多。 ;本征载流子浓度ni及本征费米能级Ei来表示电子及空穴浓度是很有用的，因为Ei常被用作讨论非本征半导体时的参考能级。;因为;例4 一硅晶掺入每立方厘米1016个砷原子，求室温下(300K)的载流子浓度与费米能级。 ;可得到n型半导体中平衡电子和空穴的浓度： ;同样，p型半导体中的空穴浓度（多子）和电子浓度（少子）为（其中下标“p”表示p型半导体）：;可以算出在已知??主或施主浓度下的费米能级对温度的函数图。右图为对硅及砷化镓计算所绘制的曲线，其中已将随温度改变的禁带宽度变化列入考虑。当温度上升时，费米能级接近本征能级，亦即半导体变成本征化。 ;下图显示施主浓度ND为1015cm-3时，硅的电子浓度对温度的函数关系图。;课堂小结;作 业;Thanks for listening！;本资料来源;的基本撒即可都不恐怖方式;OK的十分肯定会说不够开放的时间快发红包国剧盛典冠军飞将;房间号房管局的设备房间都是不放假肯德基封号开始交电话费的看法;的发送给对方是个梵蒂冈贵航股份很反感发给很反感很反感好;第三个梵蒂冈梵蒂冈梵蒂冈梵蒂冈所发生的发送到各回各家华工科