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* 功率半導體開關概論 直流至直流切換式轉換器 直流至交流切換式反流器 授課教師：魏榮宗博士 服務單位：元智電機系 電力電子系統 目前所用的功率半導體元件，依據可控制的程度可分為三類 1．二極體(Diodes)：導通與否由電力電子電路來決定。 2．閘流體(Thyristors)：導通由控制信號觸發，截止則需藉助電力電子電路。 3．可控制開關(Controllable Switches)：導通與截止皆由控制信號決定。 A.雙極性接面電晶體(BJT) B.金氧場效應電晶體(MOSFET) C.閘關閘流體(GTO) D.閘極絕緣雙接面電晶體(IGBT) 功率半導體開關概論 二極體 二極體之電路符號及電壓對電流的穩態特性如圖1.1(a)及圖1.1(b)所示，二極體在順向偏壓時導通，而導通時的壓降約為1伏特。在逆向偏壓時，只有非常小的洩漏電流通過，直到大於逆向崩潰電壓。通常二極體在正常操作時，反向電壓必須在逆向崩潰偏壓內。若反向洩漏電流及導通電壓降與實際電路操作之電流及電壓降比較後可以忽略，則二極體可以用圖1.1(c)的理想特性表示，以簡化轉換器電路之複雜性。 依用途區分，二極體類型可分為： 1．蕭特基(Schottky）二極體：其導通壓降很低，典型為0.3伏特，適