光电式的传感器装置应用.pptVIP

第7章 光电式传感器 光电式传感器是先把被测量的变化转换成光信号的变化，再通过光电器件将光信号的变化转换为电量的变化的装置。 光电式传感器可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度和气体成分等，也可用于检测能间接转换成光量变化的其它非电量，如几何尺寸、位移、振动、速度等。 光电式传感器的主要特点是能实现非接触测量、精度高、响应快、性能可靠，广泛用于军事、通讯、检测和工业自动化控制等领域。 第7章 光电式传感器 7.1 光电效应和光电器件 光电效应：物体吸收光能狗转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。光电效应是光电器件的物理基础，它通常可以分为外光电效应和内光电效应两大类。 7.1.1 外光电效应 1887年，赫兹发现光电效应，爱因斯坦第一个成功解释光电效应。爱因斯坦根据普朗哥量子假说而进一步提出的光量子，即是光子的概念，对光电效应研究作出了决定性的贡献，爱因斯坦的光子学说是：表面上看起来连续的光波是量子化的。单色光由大量不连续的光子组成。每个光子的能量为E=hv。要使电子逸出物体表面，需对其做功W，用来客服物体对电子的约束，W称为逸出功，电子的动能为mv2/2。有能 量守恒有E=hv= mv2/2+W 此式称为爱因斯坦光电效应方程，由该式可知： (1)光电效应能否产生，取决于光子的能量是否大于该物质表面的电子逸出功 这意味着每一种物质都有一个对应的光频阀值，称为红限频率(对应的光波长称为临界波长)，用n0表示。 n0 = A0/h 若V V0，入射光强度再大也不会产生光电发射。反之，当V V0时，即使光强微弱也会有电子发射出来 (2)当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。 (3)光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率 对于一定的物质，电子逸出功是一定的，所以光子的能量hv越大，则电子的初动能越大。 7.1.2 外光电效应器件 基于外光电效应的器件有光电管、光电倍增管等。 1.光电管 可分为两大类：真空光电管和充气光电管，结构类似，都是内装有光阴极和阳极的玻璃管。 2.光电倍增管 几种光电倍增管的外形如图所示。 光电倍增管的工作原理建立在光电发射和二次发射的基础之上。在玻璃管内除有光电阴极和光电阳极外，还有若干个光电倍增极，光电倍增极的形状及位置设置得正好使前一倍增极发射的电子继续轰击后一倍增极。光电倍增极上涂有在电子轰击下能放射更多“次级电子”的材料，常用的有锑化钨、氧化银镁合金等。 7.1.3 内光电效应 内光电效应:又称为光导电效应，在光照作用下，物体的导电性能（如电阻率发生变化）发生改变的现象。当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。 内光电效应按工作原理可分为，光电导 效应和光生伏特效应。 1.光电导效应 在光照射下，半导体材料的电子吸收光子能量从键和状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率的变化，这种现象称为光电导效应。 2. 光生伏特效应 在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。典型光电元件有光电池等。 7.1.4 内光电效应器件 基于内光电效应的光电器件有光敏电阻 光电池 光敏二极管和光敏三极管，光位置敏感元件等。 1.光敏电阻 （1）光敏电阻的工作原理和结构 ①光敏电阴是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性， 使用时既可加直流电压，也可以以加交流电压。 ②无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中电流迅速增大。 ③ 一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好， 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级， 亮电阻值在几千欧以下。 光敏电阻的结构 （2） 典型的光敏电阻 ①硫化镉光敏电阻：其光谱响应特性最接近人眼光谱视觉效率，在可见波段范围内的灵敏度最高。广泛应用于灯光的自动控制和照相机的自动测光。峰值响应波长为0.52μm。 ②硫化铅光敏电阻：在红外波段灵敏度最高，在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高。常用于火灾等领域的探测。 ③锑化铟光敏电阻是3—5μm光谱范围内的主