采用IGBT优化软开关应用中的损耗.docVIP

Word格式 完美整理 采用IGBT优化软开关应用中的损耗 中心议题： IGBT种的TrenchStop和RC-IGBT技术 RC2-IGBT的技术优势对比 降低饱和压降造成的损耗对比 IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。　　此外，带有单片二极管的IGBT概念也经常被探讨。首先投产的逆导型IGBT是针对电子镇流器应用进行优化的，被称之为“LightMOS”。本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200VRC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。　　TrenchStop和RC-IGBT技术　　在采用的TrenchStop技术中，沟槽栅结合了场终止概念(见图1中的IGBT)。由于发射极(阴极)附近的载流子浓度提高，沟槽栅可使得导通损耗降低。场终止概念是NPT概念的进一步发展，包含一个额外的植入晶圆背面的n掺杂层。　　将场终止层与高电阻率的晶圆衬底结合起来，能使器件的厚度减少大约三分之一，同时保持相同的阻断电压。随着晶圆厚度的降低，导通损耗和关断损耗也可进一步降低。场终止层掺杂度低，因此不会影响背面植入的低掺杂p发射极。为了实现RC-IGBT，二极管的部分n掺杂