模拟电子技术原理第5章.pptVIP

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  • 2019-06-19 发布于广东
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本章作业 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 (1)模型 ??0时 高频小信号模型 解:例5.2.2的直流分析已求得: (2)放大电路分析(共源极) s (A)小信号模型 (2)放大电路分析(共源极) s (B)Av,Ri,Ro计算 (2)放大电路分析(共漏极) 共漏 (A)小信号模型及Av计算 (2)放大电路分析(共漏极) (B)Ri及Ro计算 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 * 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 1、MOSFET、JFET的分类及伏安关系 2、MOSFET放大电路的原理及小信号分析法 3、JFET放大电路的原理及小信号分析法 4、场效应管应用注意事项 重点: 场效应三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 从场效应三极管的结构来划分,它有两大类。 1.结型场效应

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