电子场效应管的放大电路.pptVIP

第5章 场效应管放大电路 (2)带源极电阻的NMOS共源极放大电路 求Q点 需要验证是否满足 饱和区 (3)电流源偏置的NMOS共源极放大电路 电流源偏置 静态时， 求Q点 饱和区有： 2. 图解分析（交流分析) 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 Q Q 3. 小信号模型分析 （1）模型（微变等效电路） （2）放大电路分析 共源极放大电路 3. 小信号模型分析 互导 漏极输出电阻 很大，可忽略 低频小信号模型 共源极放大电路 高频小信号模型 （1）模型（微变等效电路） * * 金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管 5.1 本章重点 MOSFET放大电路 5.2 结型场效应管（JFET） 5.3 砷化镓金属—半导体场效应管（自学） *5.4 各种放大器件电路性能比较 5.5 场效应管的分类 FET 场效应管 MOSFET (IGFET) 绝缘栅型 JFET 结型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 (耗尽型) P沟道 N沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道存在 5.1 金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.1 N