电力电子技术基础之第2-2章-单相桥式半控整流.pptVIP

电力电子技术 2.1.3 单相全波可控整流电路 2.1.3 单相全波可控整流电路 两者的区别 （1）单相全波中变压器结构较复杂，绕组及铁芯对铜、铁等材料的消耗多 （2）单相全波只用2个晶闸管，比单相全控桥少2个，相应地，门极驱动电路也少2个；但是晶闸管承受的最大电压为　　，是单相全控桥的2倍 （3）单相全波导电回路只含1个晶闸管，比单相桥少1个，因而管压降也少1个 从上述（2）、（3）考虑，单相全波电路有利于在低输出电压的场合应用。 * 图2-8 单相桥式全控整流电路带反电动势负载 串平波电抗器，电流连续的临界情况 2.1.3 单相全波可控整流电路 图2-9 单相全波可控整流电路及波形 ?? 单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的 ■ ■ 半控电路与全控电路在电阻负载时的工作情况相同 2.1.4 单相桥式半控整流电路 单相全控桥中，每个导电回路中有2个晶闸管，为了对每个导电回路进行控制，只需1个晶闸管就可以了，另1个晶闸管可以用二极管代替，从而简化整个电路。如此即成为单相桥式半控整流电路。 （先不考虑VDR） 单相半控桥带阻感负载的情况 假设负载中电感很大，且电路已工作于稳态 在u2正半周，触发角a 处给晶闸管VT1加触发脉冲，u2经VT1和VD4向负载供电 u2过零变负时，因电感作用使电流连续，VT1继续导通。但因a点电位低于b点电位，使得电流从VD4转移至VD2，VD4关断，电流不再流经变压器二次绕组，而是由VT1和VD2续流 在u2负半周触发角a 时刻触发VT3，VT3导通，则向VT1加反压使之关断，u2经VT3和VD2向负载供电。 u2过零变正时，VD4导通，VD2关断。VT3和VD4续流，ud又为零。 若无续流二极管，则当 a 突然增大至180?或触发脉冲丢失时，会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况，这使ud成为正弦半波，即半周期ud为正弦，另外半周期ud为零，其平均值保持恒定，称为失控。 失控 失控现象： 有续流二极管VDR时，续流过程由VDR完成，晶闸管关断，避免了某一个晶闸管持续导通从而导致失控的现象。同时，续流期间导电回路中只有一个管压降，有利于降低损耗。 续流二极管的作用 计算： 加续流二极管后，Ud 波形与电阻性负载时相同，因此计算也相同。 输出电流平均值： 晶闸管和二极管电流有效值： （2-22） 续流二极管电流有效值： （2-23） （2-24） 变压器二次绕组电流有效值： 习题：11（P36） 单相桥式半控整流电路的另一种接法 相当于把全桥电路中的VT3和VT4换为二极管VD3和VD4，这样可以省去续流二极管VDR，续流由VD3和VD4来实现 第四节 晶闸管的简易触发电路 晶闸管装置的正常工作，与门极触发电路正确和可靠的运行密切相关，门极触发电路必须按主电路的要求来设计。一般实际工作电路要复杂的多。并有大量的专用集成电路供选用。 门极触发电路的一般要求： ? 触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压电流应大于晶闸管要求的数值，并留有一定的裕量。 ? 触发脉冲的相位应能在规定的范围内移动。 ? 触发脉冲与晶闸管主电路电源必须同步，两者频率应该相同，而且要有固定的相位关系，使每一周期都能在同样的相位上触发。 ? 触发脉冲的波形要符合要求，脉冲的前沿要足够陡。对电感性负载，脉冲的宽度要宽些。 一. 单结晶体管的结构和特性 发射极 第二基极 第一基极 PN结 N型硅 单结晶体管又称双基极二极管，有三个电极，仅有一个PN结。 b1 b2 之间电阻为4 ~ 10 K? 。 VD等效单结晶体管内部 PN 结。 Rb1 、 Rb2 分别表示b1 、b2与 PN 结之间电阻。 （1）Ue=0 时 Ebb在Rb1 Rb2之间分压 （2-26） ? 为分压比，单结晶体管的主要参数，一般为0.3 ~ 0.9。 （2）UeUA+UD=?Ebb+UD时 PN结反向截止，Ie为反向漏电流，?A级。“截止区” （3）Ue=UP=?Ebb+UD时 PN结正向导通。 P点对应：峰点电压 UP 峰点电流 IP 二极管导通后大量载流子流入A点和b1之间的硅片， 形成正反馈。一直达到电压的最低点。 PV间为负阻特性。 “负阻区” V点对应：谷点电