电子束曝光系统.pptVIP

图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。 邻近效应的校正 缺点：校正的动态范围小 1）稳定的工作环境：温度变化范围±0.2℃，振动2um以下，磁场变化在0.2uT以下。 2）高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机一般都在100keV。 3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。 4）小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨率应尽量使用小扫描场。 5. 电子束曝光的极限分辨率 电子束曝光100nm的微细图形很容易制出，但是小于50nm的图形却不是轻易能够实现的。电子束的极限分辨率与多个因素有关： 5）低灵敏度抗蚀剂：20nm以下的电子束曝光全部使用低灵敏度的抗蚀剂，例如PMMA等。 6）薄抗蚀剂层：减小抗蚀剂层可以减小散射，降低临近效应。 7）低密度图形：可以比较容易实现20nm的单一线条图形，却无法或很难实现20nm等间距的线条图形。 8）低密度、高导电性衬底材料：高密度的衬底材料产生的散射电子多，临近效应强；衬底导电性不好会产生电荷积累效应，影响曝光图形的精度。 电子束散射示意图 200nm 41nm台阶 77nm多边形 中灵敏度抗蚀剂 高灵敏度抗蚀剂 低灵敏度抗蚀剂 电子束曝光 金