GB/T 11071-2006区熔锗锭.pdf

ICS 29. 045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T 11071—2006 代替 GB 11071— 1989 区熔错锭 Zone-refined germanium ingot 2006-07-18 发布 2006-11-01 实施 发布 GB/T 1 1071—2006 ■ 1 / ■ ■ 1 刖 a 本标准是对GB/T 11071— 1989«区熔错锭》的修订。 本标准与GB/T 11071— 1989相比，主要有如下变动： ——将原标准区熔错锭两个牌号ZGe-1和ZGe-2分别改为ZGe-0和ZGe-1 ； ——明确ZGe-0和ZGe-1区熔错锭的用途； —区熔错锭电阻率测量温度由(23+0.5)°C改为(20±0.5)C,电阻率由$47 Q • cm改为$50 Q cm； ——在检验规则中，增加了组批、仲裁取样和制样、检测结果判定等内容； ——本标准增加了订货单(或合同)内容。 本标准自批准实施之日起代替GB/T 11071— 1989 本标准附录A是规范性附录。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准由北京有色金属研究总院、云南临沧鑫圆错业股份有限公司负责起草。 本标准主要起草人:冯德伸、包文东、苏小平、杨海、马绍芳。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本分布情况为： ——GB/T 11071— 1989o I GB/T 1 1071—2006 区熔错锭 1范围 本标准规定了区熔错锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于以还原错锭及错单晶返料为原料 ，经区熔提纯而制得的高纯错锭 。ZGe-0区熔错锭 主要用于制备探测器用高纯单晶,ZGe-l区熔错锭主要用于制备半导体单晶 、红外光学错单晶、错合 金等。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 YS/T 602—2006区熔错锭电阻率测试方法直流两探针 3要求 3. 1产品分类 区熔错锭按电学性能分为两个牌号：ZGe-0 、ZGe-l。 ZGe- 2 1 1— —ZGe,表示区熔错锭； 2— —阿拉伯数字，表示产品等级。 3. 2电学性能 区熔错锭电学性能应符合表1的规定。 表1 电阻率/((! • cm) 检测单晶的参数 （77K） 牌 号 (20±0. 5°C) 载流子浓度/cm-5 载流子迁移率/Ecm2/