GB/T 11071-2018区熔锗锭.pdf

ICS 77.150 H 66 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 11071—2018 代替 GB/T 11071—2006 区熔错锭 Zone-refined germanium ingot 2018-12-28 发布 2019-07-01 实施 发布 GB/T 11071—2018 ■1Z■ —1— 刖 百 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 11071—2006 《区熔错锭》 ，与GB/T 11071-2006相比，除编辑性修改外主要技 术变化如下： —范围进一步明确为 “本标准适用于以还原错锭及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到 的区熔错锭 。ZGe-0区熔错锭主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGe-1 区熔错锭主要用于制备红外光学用的错单晶、太阳能电池用的错单晶及各类错-锯、错-硅合金 等” （见第1章）。 ——增加了区熔错锭在 （23±0.5）°C下电阻率的要求（见3.2）。 — “同一根错锭的最大与最小截面面积之差不大于平均截面面积的15% ”修改为 “同一根区熔错 锭的头尾两端的高度差不大于4 mm”（见3.3,2006年版的3.3）0 -“锭长100 mm~500 mm”修订为 “长度应不小于100 mm”（见3.3,2006年版的3.3）0 — —增加了区熔错锭的表面应无孔洞的要求 （见3.4,2006版的3.4） 0 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC 243）归口。 本标准起草单位：云南临沧鑫圆错业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司 、中错科技有限 公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司、锡林郭勒通力错业有限责任公 司、云南东昌金属加工有限公司。 本标准主要起草人:包文东、普世坤、李贺成、冯徳伸、惠峰、范徳肚、朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、 尹士平、王晓华。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 11071— 1989,GB/T 11071—2006o T GB/T 11071—2018 区熔错锭 1范围 本标准规定了区熔错锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单 （或合同）内容。 本标准适用于以还原错锭及错单晶返料为原料 ，经区熔提纯工艺制备得到的区熔错锭 。ZGe-0区 熔错锭主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶;ZGe-l区熔错锭主要用于制备红外光学 和太阳能电池用的错单晶及各类错-锯、错-硅合金等。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法