GB/T 15878-2015半导体集成电路　小外形封装引线框架规范.pdf

ICS 31.200 中华人民共和 国 国彖标准 GB/T 15878—2015 代替 GB/T 15878— 1995 半导体集成电路 小外形封装引线框架规范 Semiconductor integrated circuits — Specification of leadframes for small outline package 2015-05-15 发布 2016-01-01 实施 GB/T 15878—2015 目 次 刖B I 1范围1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 技术要求 1 4.1引线框架尺寸 1 4.2引线框架形状和位置公差 1 4.3引线框架外观 2 4.4 引线框架镀层3 4.5引线框架外引线强度3 4.6 铜剥离试验 3 4.7 银剥离试验3 5 检验规则 3 5.1 检验批的构成 3 5.2 鉴定批准程序 4 5.3 质量一■致性检验 4 6 订货资料 6 7标志、包装、运输、贮存 6 7.1 标志、包装6 7.2运输、贮存7 附录A （规范性附录 ）引线框架机械测量 8 GB/T 15878—2015 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 15878— 1995«小外形封装引线框架规范》。 本标准与GB/T 15878— 1995相比主要变化如下： -按照标准的使用范围，将原标准的标准名称修改为 “半导体集成电路小外形封装引线框架 规范”； 一关于规范性引用文件:增加引导语 ；抽样标准由GB/T 2828.1—2012代替SJ/Z 9007—87；增 加引用文件 GB/T 2423.60—2008,SJ 20129； —标准中的4.1由 “设计”改为 “引线框架尺寸” ，将原标准中精压深度和金属间隙的有关内容调 整到4.2,并将原标准中 “精压区”的有关内容并入到 “精压深度”条款中； —对标准的“4.2引线框架形状和位置公差” 中相应条款顺序进行了调整，并增加了芯片粘接区 下陷和引线框架内部位置公差的有关要求； —修改了标准中对 “侧弯”的要求（见4.2.1 ） :原标准中仅规定了在150 mm的长度方向上，不超 过0.5 mm,本标准在整个标称长度上进行规定； ——修改了标准中对 “卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5 mm,本标准根 据材料的厚度分别进行了规定； -修改了标准中对 “条带扭曲”的要求（见4.2.4）：原标准中仅规定了每条框架上扭曲不超过 0.51 mm,本标准将框架扭曲修改为条带扭曲 ，并根据材料的厚度分别进行了规定； -修改了标准中对 “引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上 的最大偏移量，本标准删除了引线宽度上最大偏移量的规定； —原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响 ，简单地规定了精压深度的尺寸范围 。本标准修改 为：在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下，精压深度不大于材料厚度的30%,其参考 值为 0.015 mm 〜0.06 mm （见 4.2.6）； —将 “金属间隙”修改为 “绝缘间隙” ，并修改了标准中对 “绝缘间隙”的要求（见4.2.7 ）：原标准规 定 “引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.152 m