GB/T 18032-2000砷化镓单晶AB微缺陷检验方法.pdf

ICS 77. 040. 01 ____ 乂________________ 中华人民共和国国家标准 GB/T 18032—2000 碑化¥家单晶AB微缺陷检验方法 The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal 2000-04- 03 发布 2000-09-01 实施 国家质量技术监督局发布 GB/T 18032 2000 ."台 、亠 冃U 吕 碑化傢晶片是光电、微波及高速集成电路等器件的重要衬底材料 。近年来，普遍认为衬底材料中的 AB微缺陷对器件的性能有明显的影响 。例如对神化稼FET器件性能进行测试之后 ，用AB腐蚀液显示 FET芯片上的AB微缺陷，发现芯片上的AE微缺陷密度高时,FET器件的低频跨导很低；当AB微缺 陷密度低时,FET的低频跨导较高。由此可见AE液显示的AB微缺陷密度对了解衬底质量和提高器件 性能是一个不可忽略的参数。 目前国内外都在对神化稼单晶AB微缺陷进行研究 。但是在检验方法上还没有形成一个统一的规 范 。在此时制定 《神化傢单晶AB微缺陷检验方法》的国家标准是适时的、非常必要的。 本标准可为种化稼材料和器件的生产、科研单位对AB微缺陷的检验提供依据。 本标准由国家有色金属丁业局提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所归口。 本标准由北京有色金属研究总院起草。 本标准主要起草人:王海涛 、钱嘉裕、王彤涵、宋 斌、樊成才。 I 中华人民共和国国家标准 碑化镌单晶AB微缺陷检验方法 GB/T 18032 2000 The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal 1适用范围 本标准规定了神化傢单晶AB微缺陷的检验方法。 本标准适用于碑化傢单晶AB微缺陷密度(AB-EPD)的检验。检验面为(100)面。测量范围小于5X 105 cm 20 2定义 2- 1 AB 腐蚀液 AB etchant AB腐蚀液用于显示种化傢单晶AB微缺陷及位错线的一种化学腐蚀剂。 2- 2 AB 微缺陷 AB microdefect 神化傢单晶片经AB腐蚀液腐蚀后，在 (100)面上显示出的椭圆状腐蚀坑所表征的微缺陷。 2- 3 AB 微缺陷密度(AB-EPD) AB microdefect density 用AB腐蚀液显示出神化稼单晶片(100)面上在单位表面积内AB微缺陷腐蚀坑的个数(个/cm2) 3方法原理 采用择优化学腐蚀技术显示缺陷 。由于单晶中缺陷附近的原子排序被破坏，晶格畸变,应变比较大， 在某些化学腐蚀剂中晶体缺陷处与非缺陷处腐蚀速度不同，利用这种异常的物理化学效应，在表面处产 生选择性的浸蚀,从而形成特定的腐蚀图形。 4化学试剂 4-1硫酸(H2 SO4),分析纯。 4 ・2过氧化氢(H2O2),分析纯。 4-3氢氟酸(HF),分析纯。 4.4三氧化铭(Cr()3),分析纯。 4.5硝酸银(AgNOs),分析纯。 4- 6去离子水 ，电阻率大于5 MQ • cm 5试样制备 5- 1定向切割 从神化傢单晶锭的待测部分经定向切取厚度0. 5〜0. 8 mm单晶片，晶面为(100) 晶向偏离小于