集成电路原理第三章.pptVIP

第三章 双极型集成电路的工艺与 版图设计 * * §3.1 双极型IC的隔离技术 3.1.1 pn结隔离技术 ? 目的： ——使做在不同隔离区的元件实现电隔离 ? 结构： 隔离环 图 3-1 PN结隔离技术示意图 ? 特点： 为降低集电极串联电阻rCS，在P型衬底与n型外延之间加一 道n+埋层，提供IC的低阻通路。 集电极接触区加磷穿透扩散（应在基区扩散之前进行） 可采用对通隔离技术 对通隔离技术 ——在n+埋层扩散后，先进行p+浓硼下隔离扩散，去除氧化层后，生长n型外延，然后在进行p+浓硼上隔离扩散的同时，做纵向pnp管的发射区扩散，这样可缩短扩散时间，使横向扩散尺寸大为降低，节省了芯片面积。 图 3-2 对通隔离技术示意图 3.1.2 等平面隔离工艺 等平面隔离工艺 ——利用Si的局部氧化LOCOS工艺实现pn结—介质混合隔离技术，有利于缩小管芯面积和减小寄生电容。 图3-3 §3.2 双极晶体管制造工艺 图3-4 泡发射极工艺 ——在发射区扩散后，用1%的HF酸“泡”（漂洗）出发射区扩散窗口（包括发射极接触孔），此窗口即为E极接触孔，晶体管尺寸减小，进而CBC、CBE?，可与浅结工艺配合制出高速、高集成度的IC。但由于Al在Si中的“渗透”较强，易造成EB结短路，因此需采用新的多层金属化系统。 发射极工艺的原理 —