GB/T 24370-2009硒化镉量子点纳米晶体表征　紫外-可见吸收光谱方法.pdf

ICS 71.040.50 G 30 中华人民共和国国家标准 GB/T 24370—2009 硒化镉量子点纳米晶体表征 紫外-可见吸收光谱方法 Characterization of CdSe quantum dot nanocrystals — UV-Vis absorption spectroscopy 2009-09-30 发布 2009-12-01 实施 发布 GB/T 24370—2009 刖 本标准的附录A 、附录B和附录C均为资料性附录。 本标准由中国科学院提出。 本标准由全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)归口。 本标准负责起草单位：国家纳米科学中心。 本标准参加起草单位:北京工商大学、武汉大学、武汉珈源量子点技术开发公司。 本标准主要起草人:葛广路、刘忍肖、嵇天浩、庞代文、朱晓波、高洁、赵蕊。 T GB/T 24370—2009 引 言 半导体纳米晶体(又称量子点、半导体量子点)是由半导体材料(如CdSe.CdTe等U 〜VI族或InP、 InAs等ni 〜V族化合物)组成的、尺寸在1 nm 〜100 nm之间的纳米材料，其中硒化镉(CdSe)纳米晶体 具有优良的尺寸及形状可控性，是研究最多、最有代表性的一类 。半导体纳米晶体因量子尺寸效应的存 在表现出尺寸相关的光学和电学性质 。与传统的有机染料分子荧光探针相比，半导体纳米晶体的光 性质具有明显的优势:激发波长宽且连续分布，发射波长范围却很窄，使多波长同时观察成为可能；发光 强度高，光化学稳定性更好，十分有利于长吋间对细胞内多生命现象的动态变化进行观察 。基于上述性 质,半导体纳米晶体在药物筛选、生物标记、细胞示踪、流式微流控芯片免疫分析、快速诊断增敏等方面 开始得到广泛应用。 紫外-可见吸收光谱法(UV-Vis absorption spectroscopy)是利用物质分子对紫外-可见光的吸收光 ，对物质的组成结构及含量进行分析测定的一种实验室常用分析方法，可实用而便利地对半导体纳米 晶体的光学性质进行表征，并获得其结构信息 。用紫外-可见吸收光谱法对其进行光谱测定时，特征吸 收峰值和摩尔吸收系数与粒子粒径有直接的对应关系 。在已知每摩尔半导体纳米晶体吸收系数(J的 前提下 ，由郎伯-比尔定律(A=eCL)可简便而准确地计算量子点纳米晶体在分散液中的摩尔浓度。 D GB/T 24370—2009 硒化镉量子点纳米晶体表征 紫外■可见吸收光谱方法 1范围 本标准规定了硒化镉（ CdSe）量子点纳米晶体的紫外-可见吸收光谱表征方法。 本标准适用于由表面活性剂分子一一正三辛基氧M（TOPO, Trioctylphosphine）包覆的硒化镉量 子点纳米晶体在正己烷中形成的分散液 。其他表面活性剂分子包覆的硒化镉量子点纳米晶体在各种非 极性试剂中形成的分散液、在水相体系中合成的硒化镉量子点纳米晶体及其他组成的半导体量子点纳 米晶体的紫外-可见吸收光谱表征也可参照本标准执行。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件 ，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文