GB/T 30653-2014Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法.pdf

ICS 77.040.20 k_…、 ‘I G邑 中华人民共和国国彖标准 GB/T 30653—2014 HI族氮化物外延片结晶质量测试方法 Test method for crystal quality of HI -nitride epitaxial layers 2014-12-31 发布 2015-09-01 实施 GB/T 30653—2014 ■ i r ■ ■ i 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。 T GB/T 30653—2014 ID族氮化物外延片结晶质量测试方法 1范围 本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试皿族氮化物外延片结晶质量的方法。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3.Zn（ ）等）或半导体衬底（ Ga 、Si、GaAs 、SiC等）上外延生长的 氮化物（Ga.In.Al） 单层或多层异质外延片结晶质量的测试 。其他异质外延片结晶质量的测试也可 参考本标准。 2术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 2.1 对称衍射 symmetric diffraction 入射束和反射束相对于样品晶面法线处于对称位置，入射角与反射角相等时发生的衍射。 2.2 非对称衍射 asymmetric diffraction 若衍射晶面与样品表面有个夹角X ，入射束和反射束相对于样品晶面法线处于非对称位置 ，入射角 与反射角不相等时发生的衍射。 2.3 斜对称衍射 skew diffraction 入射束和反射束相对于样品表面法线处于对称位置，而衍射晶面相对于样品表面有个倾斜角％ ,此 时发生的衍射为斜对称衍射。 2.4 螺型位错 screw dislocation 一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升 ，每绕轴线一周， 原子面上升一个晶面间距 。在中央轴线处即为一螺型位错。 2.5 刃型位错 edge dislocation 晶体在切应力的作用下，一部分相对于另一部分沿一定的晶面 （滑移面）和晶向（滑移方向）产生位 移，从而形成多余半原子面 ，也就形成了刃型位错。 2.6 摇摆曲线 rocking curve 把探测器固定在样品0女）晶面的2%位置，探测器前不加狭缝，试样在衍射位置附近以弐角度摇 摆，衍射强度会随着角度而发生变化，记录得到的衍射强度与3的关系曲线。 3符号 下列符号适用于本文件。 FWHM半高宽，衍射峰高一半处衍射峰的全宽。