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版图设计实例 MOS 场效应管的版图实现 单个MOS管的版图实现 1. MOS管的结构和布局 ① MOS管的四种布局图 ③ 源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），而有源区之外的区域定义为场区（Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。 Fox + Active = Surface 芯片表面包含有源区和场区两部分 ④ N阱CMOS集成电路使用P型衬底，NMOS管直接制作在P型衬底上，PMOS管做在N阱内。 ⑤ 完整的MOS管版版图必须包含两个部分：a）由源、栅和漏组成的器件；b）衬底连接。 5.1.2 MOS管阵列的版图实现 1.MOS管串联 (1) 两个MOS管的串联。 N1的源、漏区为X和Y，N0的源、漏区为Y和Z。Y是它们的公共区域，如果把公共区域合并,得到图5.7(d)所示的两个MOS管串联连接的版图。 从电流的方向可以决定，当MOS管串联时，它们的电极按S-D-S-D-S-D方式连接。 (a) 电路图 (b) N1版图 (c) N0版图 (d) N1和N0串联版图 (2) 任意个MOS管串联。例如3个MOS管串联的版图。 (a)电路图 (b) 版图 2.MOS管并联(并联是指它们的源和源连接，漏和漏连接，各自的栅还是独立的。) (1)栅极水平放置，节点X和Y可用金 属连线连接(图b)；也可用有源区连接(图c）。 (2)栅极竖直方向排列，节点连接既可用金属导线(图b)，也可用有源区进行连接(图c）。 (3)三个或三个以上MOS管并联。 ① 全部用金属进行源的连接和漏的连接(图a）,称为叉指形结构; ② 分别用金属和有源区进行源和漏的并联连接; ③ 金属连接和有源区连接联合使用(图b）。 3.MOS管的复联 复联是MOS管先串后并和先并后串的连接。 1. CMOS门电路 (1) 反相器 电路图 版图1 版图2 版图1特点:多晶栅竖直排列,MOS管源区面积小,因而反相器面积也小。 版图2特点:多晶栅水平排列,MOS管漏极金属与电源、地金属线之间的空档允许其它金属线通过,因水平尺寸较大而使面积稍大一些。 (2) 异或门 版图1特点:多晶栅竖直放置;MOS管排成4行,第2和第4行构成或非门,第1和第3行构成与或非门.整个版图较高。 版图2特点:或非门和与或非门分开布局,P管和N管各占一行。 (3)二输入端与门(and2) 特点：与门由与非门和反相器串联而成，采用合并公共区域的技巧，将P管接电源的有源区公用，N管接地的有源区公用，器件的排列很紧凑，面积很小。 (4) 与或非门(AOI) 提示：设计AOI或OAI的版图，一定要熟练掌握MOS管串联和并联的画法后进行，看清每个MOS管的输入信号，用棍棒图画出草图后再画版图。 (5) 或与非门（OAI) 提示：对比AOI和OAI电路图和版图的区别和画法，巩固和熟练掌握CMOS复联电路版图的画法。 (6) 全加器 版图 特点： ① 和异或门相似，几个输入信号被几乎所有的器件公用，设计版图时要充分注意这一特点。 ② 版图把A、B、C多晶分成二段且排成二列，A线在上面(靠近Vdd)转折连接，B线在下面(靠近Vss)转折连接，C线二段不能直接连接，在Vss附近用金属连接。 ③ 用左面一列A、B、C多晶布局器件的串并联，右面一列A、B、C多晶布局器件的串联。整个电路分为4行，第2和第3行组成进位电路的前级，第1行和第4行组成求和电路的前级。 ④ 进位与求和的输出反相器采用较大的宽长比。 ⑤ 在版图中间一条横的金属线阻挡了进位部分串并联电路的输出从上至下进行连接，用多晶从该金属线下穿过将这段输出金属连接。 2. CMOS RAM单元及阵列 (1）CMOS RAM单元 特点：版图用双层金属设计。两个反相器共源，它们的交叉连接和衬底连接都用金属1，两条位线也用金属1作为连线。Vdd、Vss和W用金属2作为导线。门管的多晶栅和金属1连接，然后金属1经过通孔连接到用字线。阱和衬底的接触也经过通孔连接到Vdd和Vss。 (2) CMOS RAM阵列 特点：存储单元排成阵列时，列的方向只要求相邻单元位线的间距符合设计规则；行的布局合并了公共区域，即Vdd和Vss共用。 3. CMOS D触发器 (1) 无置位和复位端的D触发器 电路图 电路图中,用