霍尔元件的工作原理.pptVIP

2、 霍尔式微位移传感器 UH量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器， 其动态范围可达5 mm，分辨率为0.001mm。 3、 霍尔式转速传感器 4、 霍尔计数装置 5、汽车霍尔点火器 第三节 磁敏传感器 一、磁敏电阻器 磁阻效应: 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 Ｂ——为磁感应强度； ρB——材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ——材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ——载流子的迁移率。 二、磁敏二极管 1、结构 P N I r 区 + - 简写为SMD。磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I，本征区I的一面磨成光滑的复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），其目的是因为电子-空穴对易于在粗糙表面符合尔消失。当通以正向电流后就会在P、I、N结之间形成电流。磁敏二极管是PIN型。 I P N 2、工作原理 H=0 ← ← ← → → → 电子 空穴 复合区 （1）当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量的电子注入P区。形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合。 （2）当磁敏二极管受到外界磁场H+作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向r区偏移，