第五章-磁电式传感器.pptVIP

5.2 霍尔式传感器 一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片) 当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。这种现象称为霍尔效应。 经整理得   当霍尔元件选定后, 它的输入电阻r0和温度系数α及霍尔电势温度系数δ是确定值。由式即可计算出分流电阻R0。 作业 5.2 某霍尔元件l、b、d尺寸分别为1.0cm、0.35cm、0.1cm，沿l方向通以电流I=1.0mA，在垂直lb平面方向加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏度系数为22V/(A·T)，试求其输出霍尔电动势及载流子浓度。 （a） （b） （c） 霍尔元件是采用半导体材料制成的, 因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时, 霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化, 从而使霍尔元件产生温度误差。  为了减小霍尔元件的温度误差, 除选用温度系数小的元件或采用恒 温措施外, 由UH=KH IB可看出：采用恒流源供电是个有效措施, 可以使霍尔电势稳定。 但也只能减小由于输入电阻随温度变化而引起的激励电流I变化所带来的影响。霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数, 它随温度的变化引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成 二、温度补偿 式中: KH0——温度T0时的KH值;   ΔT =T- T0——温度变化量;  δ——霍尔电势温度系数。 并且大多数霍尔元件的温度系数δ是正值, 它们的霍尔电势随温度升高而增加（1+ δ ΔT）倍。如果,与此同时让激励电流I相应地减小, 并能保持KHI乘积不变, 也就抵消了灵敏系数KH增加的影响。图示为按此思路设计的一个既简单、 补偿效果又较好的补偿电路。 图5-24 采用分流电阻法的温度补偿电路 电路中用一个分流电阻R0与霍尔元件的激励电极相并联。 当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时, 旁路分流电阻R0自动地加强分流, 减少了霍尔元件的激励电流I, 从而达到补偿的目的。  在图示的温度补偿电路中, 设初始温度为T0, 霍尔元件输入电阻为r0, 灵敏系数为KH0, 分流电阻为R00, 根据分流概念得 当温度升至T时, 电路中各参数变为 则 虽然温度升高ΔT, 为使霍尔电势不变, 补偿电路必须满足温升前、 后的霍尔电势不变, 即 二、 霍尔式传感器的应用 1. 霍尔式微位移传感器 ①线位移测量 霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点, 它不仅用于磁感应强度#, 有功功率及电能参数的测量, 也在位移测量中得到广泛应用。  图示为一些霍尔式位移传感器的工作原理图。 图（a）是磁场强度相同的两块永久磁铁, 同极性相对地放置, 霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的磁感应强度B=0, 因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零, 此时位移Δx=0。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移, 霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变, 这时UH不为零, 其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量, 这种结构的传感器, 其动态范围可达 5 mm, 分辨率为 0.001mm。  图（b）所示是一种结构简单的霍尔位移传感器, 由一块永久磁铁组成磁路的传感器, 在Δx=0 时, 霍尔电压不等于零。图（c）是一个由两个结构相同的磁路组成的霍尔式位移传感器, 为了获得较好的线性分布, 在磁极端面装有极靴, 霍尔元件调整好初始位置时, 可以使霍尔电压UH=0 。 这种传感器灵敏度很高, 但它所能检测的位移量较小, 适合于微位移量及振动的测量 。 实验用霍尔位移传感器 磁场梯度越大，灵敏度越高 磁场梯度越均匀，输出线性越好 测量范围：1 ~ 2 mm 图5-26 霍尔式位移传感器原理示意图 ②角位移测量 此图可对比磁电感应式角位移测量 2. 霍尔式转速传感器 图示为几种不同结构的霍尔式转速传感器。 磁性转盘的输入轴与被测转轴相连, 当被测转轴转动时, 磁性转盘随之转 转动, 固定在磁性转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲, 检测出单位时间的脉冲数, 便可知被测转速。磁性转盘上小磁铁数目的多少决定了传感器测量转速的分辨率。 叶片和齿轮位置传感器 汽车速度测量 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????? 当电流流过