PECVD沉积低k掺氟氧化硅中泡状缺陷分析.pdfVIP

PECVD 沉积低 k 掺氟氧化硅中泡状缺陷研究 摘 要 随着制程技术的不断细密化，到了 0.25um 以下，集成电路在线路 上的电阻，电容延迟（RC-Delay）效应已增大到成为问题，使得线路讯 号难以更快速传播，即电晶体的导通，关闭的速率难以更快，并且线路 间的串音，杂讯干扰（Cross Talk Noise）也增加，并且功耗也随之上 升。 为了克服这一缺陷，必须更换半导体信号线路的材料，从以往的铝 （Aluminum）材料换成铜（Copper）材料，换材之后，线路的电阻值降 低，铝的阻值为每公分2.8 微欧姆（2.8uohm/cm）,而铜则是 1.7uohm/cm, 因此，寄生RC 问题将会得到一定程度改善，从而晶片的时序速度可得到 提升。同时，铜线路也有较佳的抗电子漂移能力，使晶片可以更加耐久 的工作。 铜导线技术的应用在降低 RC-Delay 效应起到了一定的作用，它主 要是降低材料的R 值，但对于线路与线路间的C 值却没有得到改善，为 了改善线路间的绝缘效果，人们开始思索用新的绝缘材料来替代原有的 SiO2 绝缘材料，这就是采用低介电质（Low k dielectric）材料。 以 FSG 而言，事实上有不同的制成方法，以化学气相沉积法 （Chemical Vapour Deposition）产生的FSG 材质，可使K 值达2.6-3.1， 而使用旋转式涂布法（Spin-on Dielectric）的FSG 材质，则可低至2.0。 本论文主要是利用前者来制造 FSG 材质，在实际制造 FSG 材质过 程中，产品在电子显微镜下发现有泡状缺陷产生，严重影响产品良率， 4 通过论文工作，我们取得如下成果： 1． 深入剖析 IMD Layer 的结构，我们发现后层PEOX 的厚度以及 N2O 使用的时间，对泡状缺陷的改善有一定的影响。 2． 对比不同类型机台的差异性，通过实验，分析不同类型机台对 同一制程的影响，从而得到，泡状缺陷的产生跟机台类型的差 异无关。 3． 通过大量对比试验，逐步提高气体反应的预热温度，从而得出 随着预热温度的逐步增加，泡状缺陷会逐渐减少，但不会彻底 消失。 4． 深入分析氟元素的物理化学特性，在main deposition 之前， 增加deposition liner oxide,并控制合理的反应时间，目的 是trap 多余，游离的氟离子。随着这一方案的实施，泡状缺 陷彻底消失。 通过对产品进行一系列的测试，各项指标都达到我们要求，并 在良率上比base line 高出两个百分点。本论文的研究课题来源于企业 的大规模生产实践，对同类低k 介电质的制造，以及化学气相沉积其他 介电质都有着巨大的参考价值。 关键字：RC-Delay, Low k 介电质，氟硅酸盐,杂讯干扰，铜线 5 THE STUDY OF PECVD LOW K DIELECTRIC (FSG) BUBBLE DEFECT ABSTRACT As the process technical development and more metal layer according to the function requirement. When critical dimension enter 0.25um or below, the resist and capacitance can not ignore, besides, it strong effect information transaction and transmit. That is to say, the switch of crystal can not meet our requirement and more cross talk n