半导体二极管和三极管 .pptVIP

“模拟电子技术”特点 处理对象：模拟信号 处理目的：放大、稳定、滤波、产生信号 分析方法：工程分析方法（抓住主要因素，忽略次要因素） 难点：交流、直流叠加，工程分析方法 学习方法：认真听讲、多做练习 主要内容 学习方法： 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 15. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 三极管的三种组态 2. 各电极电流关系及电流放大作用 15.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 15.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 1、如何用万用表判断NPN、PNP管子，并确定e、c、b各极？ 例 若测得放大电路中3个三极管的3个电极对地的电位分别如下，判断是硅管还是锗管，是NPN还是PNP？并确定e、b、c极？ （1）U1=2.5V,U2=6V,U3=1.8V; （2）U1=-6V,U2=-3V,U3=-2.8V; （3）U1=-1.8V,U2=-2V,U3=0V; 解（1）1、3脚电位差为0.7V，故1、3脚间为发射结，1为b（基极），3为e（发射极）2脚为C（集电极），为硅管，又U2 U1 U3 ,该管为NPN。 （2）PNP，锗管，2脚为b，1脚为c，3脚为e。 （3）NPN，锗管，1脚为b，3脚为c，2脚为e。 1.光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 光电二极管 特殊二极管 2. 发光二极管 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件，它包含了可见光、不可见光、激光等类型。 可见光发光二极管也称为LED，符号如图所示。发光颜色目前有红色、绿色、橙色、黄色等。发光二极管的电特性与普通二极管一样，伏安特性曲线也类似，同样具有单向导电性。但正向导通电压比普通二极管高，红色的导通电压在1.6~1.8V间，绿色的为2V左右。 发光二极管 14.5 半导体三极管 　 又称双极型三极管(BJT) 、晶体管，或简称为三极管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 　　三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 c N N P e b b e c 表面看 　　晶体管若实现放大，必须从晶体管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 晶体管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1）发射区高掺杂。 　　2）基区做得很薄。通常只有 几微米到几十微米，而且掺杂较少。 3）集电结面积大。 晶体管放大的外部条件： 外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态， 而集电结处于反向偏置状态。 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 前提：EC EB IB IC 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 测量晶体管特性的实验线路 EB RB 输入回路 输出回路 IC mA ?A V UCE UBE IB EC V + + – – – – + + IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3）