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- 2019-06-30 发布于四川
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Transphorm –氮化镓FET(HEMT)
HEMT: High Electron Mobility Transistor
MOSFET (600VDC, 1uS,100nS , 750V)
氮化镓 能承受周期为 的连续的方波 保证
Part Number Package Voltage (V) Current (
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