发光二极管失效分析-图文.docVIP

发光二极管失效分析 蔡伟智 (厦门三安电子有限公司 , 福建 厦门 361009 摘要 :基于发光二极管 (LE D 所具有的特点 , 系统地总结出一套发光二极管失效分析方 法 , 并给出了几个典型失效分析案例 , 简要阐述了失效分析过程中的注意事项 。通过失效分析 , 进一步优化和改善了 LE D 的制造技术 , 达到提高质量和可靠性的目的 。该方法在失效分析过程 中具有一定的指导意义 。 关键词 :发光二极管 ; 失效分析 ; 解剖 ; 金相学 中图分类号 :T N312+18　　 文献标识码 :A 　　 文章编号 (2007 032255204 F ailure Analysis for Light Emitting Diode CAI Wei 2zhi (Xiamen Sanan Electronics Co 1, Ltd 1, Xiamen 361009, China Abstract :Based on the properties of light , was summarized , and several kinds of exam ples for , regulation analysis were explained. the further optimized and im proved for raising the of to the method of failure analysis for LE D 1 K ey LE ; analysis ; dissect ; metallography 1　 引言 和半导体器件一样 , 发光二极管 (LE D 早期 失效原因分析是可靠性工作的重要部分 , 是提高 LE D 可靠性的积极主动的方法 。 LE D 失效分析步骤 必须遵循先进行非破坏性 、可逆 、可重复的试验 , 再做半破坏性 、 不可重复的试验 , 最后进行破坏性 试验的原则 。 采用合适的分析方法 , 最大限度地防 止把被分析器件 (DUA 的真正失效因素 、迹象丢 失或引入新的失效因素 , 以期得到客观的分析结 论 。 针对 LE D 所具有的光电性能 、树脂实心及透 明封装等特点 , 在 LE D 早期失效分析过程中 , 已 总结出一套行之有效的失效分析新方法 。 2　 LE D 失效分析方法 211　 减薄树脂光学透视法 在 LE D 失效非破坏性分析技术中 , 目视检验 是使用最方便 、 所需资源最少的方法 , 具有适当检 验技能的人员无论在任何地方均能实施 , 所以它是 最广泛地用于进行非破坏检验失效 LE D 的方法 。 除外观缺陷外 , 还可以透过封装树脂观察内部情 况 , 对于高聚光效果的封装 , 由于器件本身光学聚 光效果的影响 , 往往看不清楚 , 因此在保持电性能 未受破坏的条件下 , 可去除聚光部分 , 并减薄封装 树脂 , 再进行抛光 , 这样在显微镜下就很容易观察 LE D 芯片和封装工艺的质量 。 诸如树脂中是否存在 气泡或杂质 ; 固晶和键合位置是否准确无误 ; 支 架 、 芯片 、 树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效 现象 , 都可以清楚地观察到了 。 212　 半腐蚀解剖法 对于 LE D 单灯 , 其两根引脚是靠树脂固定的 , 解剖时 , 如果将器件整体浸入酸液中 , 强酸腐蚀祛 除树脂后 , 芯片和支架引脚等就完全裸露出来 , 引 脚失去树脂的固定 , 芯片与引脚的连接受到破坏 , 这样的解剖方法 , 只能分析 DUA 的芯片问题 , 而 难于分析 DUA 引线连接方面的缺陷 。因此我们采 用半腐蚀解剖法 , 只将 LE D 2DUA 单灯顶部浸入酸 封装 、 测试与设备 March 　 2007Semiconductor Technology Vol 132No 13　 255　 液中 , 并精确控制腐蚀深度 , 去除 LE D 2DUA 单灯 顶部的树脂 , 保留底部树脂 , 使芯片和支架引脚等 完全裸露出来 , 完好保持引线连接情况 , 以便对 DUA 全面分析 。图 1所示为半腐蚀解剖前后的 5LE D , 可方便进行通电测试、 观察和分析等试验。 图 1　 半腐蚀解剖前后的 5LE D 在 LE D 2DUA 缺陷分析过程中 , 经常遇到器件 初测参数异常 , 测 , 芯片参数又恢复正常 , , 所造成 。 , 祛除了 , 又保持 DUA 内部引线连接 , 这样就很容易确认造成失效的因素 。 213　 金相学分析法 金相学分析法是源于冶金工业的分析和生产控 制手段 , 其实质是制备供分析样品观察用的典型截 面 , 它可以获得用其他分析方法所不能得到的有关 结构和界面特征方面的现象 [1]。 LE D 的截面分析