模拟集成电路－电容电阻.pptVIP

Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC Dr. Jian Fang . UESTC 6.2.4 模拟集成电路中的电容器 在模拟集成电路中，电容也是一个重要的元件。在双极型模拟集成电路中，集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在MOS模拟集成电路中，由于在工艺上制造集成电容比较容易，并且容易与MOS器件相匹配，故集成电容得到较广泛的应用。普通pn结电容的容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺点，故应用不多。在双极型和MOS模拟集成电路中的电容大多采用MOS结构或其相似结构。由于在MOS工艺中实现的MOS电容，匹配精度比电阻好，一般约为0.1%~5%，因此在D/A、A/D转换器和开关电容电路等集成电路中，往往用电容代替电阻网络。 Dr. Jian Fang . UESTC 集成电容器 IC中应尽量避免使用电容器 在双极集成电路中，常使用的集成电容器有： 反偏PN结电容器 PN结电容器的制作工艺完全和NPN管工艺兼容，但其电容值做不大。发射结的零偏单位面