PMOS管driver问题-单管与推挽的差别.docVIP

这段时间在整理ABS的MOS及其driver，总结一下关于PMOS管driver的问题，在论坛里经常看到说开关频率高驱动就用三极管组成推挽，频率低就用一只三极管1.从工作原理上面分析： 推挽的话：上管通对MOS充电，下管通MOS放电单管的话：截止，MOS充电；导通，MOS放电 2. 从实际效果来看： 单管驱动，就相当于给MOS开关管栅极充电时是 驱动管饱和，电源直接加在电容上充电，充电相当快，但放电时驱动管截止了，只能靠下拉电阻放电，当然慢了推挽也就是图腾驱动 充电时是上面的三极管饱和导通，电源直接给栅容充电放电时是下面的三极管饱和导通，电容相当于直接对地短路放电（当然为了说明差别，理想化了，实际上受引线阻抗以及三极管集电极最大电流的限制），你说哪个放的快？ 下面附带几张电路图，是从网上搜集来的，仅供参考 1. 用于PMOS的开关控制的驱动电路（即单个三极管驱动PMOS） 上图是典型的单个三极管作为驱动的应用，图中的SI2305就是P沟道MOS管，由于有很多朋友对于检查这一部分的故障很茫然，所以在这里很有必要讲一下它的工作原理，来加深一下你的印象！图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下