微电子实验讲义.docVIP

PAGE 24 PAGE 25 微电子学实验指导书 微电子学专业实验室 长春理工大学 2005年7月 目 录 TOC \o 1-1 \h \z 实验一 光刻工艺 1 实验二 清洗工艺 7 实验三 硅各向异性湿法腐蚀 14 实验四 半导体霍尔效应 20 实验五 肖特基势垒高度测量 29 实验六 四探针法测量半导体电阻率和薄膜电阻 37 实验七 分立元件反相器设计 48 实验八 TTL与非门版图设计 49 实验九 基于PSPICE的电路模拟与仿真 50 实验十 真空蒸发镀膜工艺 60 实验十一 椭偏仪测量薄膜厚度和折射率 66 实验十二 双极型晶体管参数的测量 76 实验十三 MOS场效应晶体管特性参数的测量 80 实验十四 集成运算放大器参数测试 84 实验十五 PN结的显示与结深的测量 87 实验十六 芯片解剖 91 实验一 光刻工艺 一、引言 光刻是一种复印图象和化学腐蚀相结合的综合技术。它先采用照相复印的方法，将光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅或金属层上，然后利用光刻胶的保护作用，对二氧化硅层（或A1层）进行选择性化学腐蚀，从而在二氧化硅（或A1层上）上得到与光刻版相应的图形。 光刻工艺是硅平面工艺中关键的工艺之一，光