半导体激光器电学光学特性参数的测量.pdf

半导体激光器电学特性的测量实验 测试实验原理 半导体激光器的核心是PN结，当用光照和电子束激励或电注入等方式使半导体中的载 流子从平衡状态时的基态跃迁到非平衡状态时的激发态，此过程称为激发或激励，它的逆过 程就是处于非平衡态激发态上的非平衡载流子回复到较低的能态而放出光子的过程，这就是 复合辐射。半导体发光器件的本质就是注入到半导体PN结中的非平衡载流子——电子空穴 对复合发光。这是一种非平衡载流子复合的自发辐射，激光器则是上述的非平衡载流子的复 合发光在激光器的具有增益的光介质谐振腔作用下形成相干振荡而输出激光，所以发光管的 发光效率决定于半导体材料的自发辐射系数的大小。激光器辐射发光除与材料的增益系数有 关外还与谐振腔的特性和结构尺寸有关。半导体材料的增益系数为： g jm  m j 为增益因子， 为与结构有关的指数， 为电流密度。 激光器的阈值条件为： g a (1/2L)L (1/R R ) n 1 2 a R R 为腔内的其它损耗，Ｌ为腔长， 1 2 为腔端面的反射系数，所以激光器的阈值电流 密度为： m      j 1/   1/2L L 1/R R th n 1 2 由上可知一个制作好的激光器件或发光管，它既是一个ＰN 结二极管，又是一个电光转 换器，它们的工作过程是，当给它正向注入载流子时则在二极管中产生电 E g 子空穴对的复合跃迁而发射光子，光子的能量由二极管的材料的禁带宽度 决定， E hv g h v ， 为普朗克常数， 为光频率，发射的同时还存在光的吸收，称为吸收 跃迁。注入小时，吸收大于发射，没有光输出，当注入载流子增大时随发射的增加将逐渐大 于吸收而得到荧光输出，发光管就是这样工作的。但对于激光器由于有介质谐振腔存在，则 输入载流子达到激光器的阈值电流时则产生激光输出，再继续增加注入电流，输出光功率也 增大，同理，管的功率发热也增加，注入过大时则管子因发热而损坏，从这里我们可以看出， I V 半导体激光器件的特性包括PN结二极管的 — 特性和载流子注入而产生的电光转换特 性，测量其特性参数可采用两种电注入方法：第一种为脉冲法、第二种为直流法。所谓脉冲 法就是用低频率脉冲电流注入器件进行测量，一般用干非线型管或不能在室温下连续工作的 器件。直流法是直流电流注入的方法，对能在室温下连续工作的器件进行测试。有时为获得 某个特性参数，可在特定条件下进行测量，这里我们不去讨论它。我们的实验主要是通过测 I V I P 量器件的 — 特性曲线和 — 特性曲线来获得器件的主要电学参数和电光参数。下面 就几个参数作一介绍： V F 正向电压 （ ）——二极管开始导通时的管压降 R F 正向电阻 （ ）——二极管导通后的正向电阻 V R 反向击穿电压 （ ）——二极管的反向击穿电压 I th 阈值电流 ——开始出现激光的注入电流