电子材料及其制备0416.ppt

继续增加InAs沉积量：部分3D岛长大， 当岛内应力超过位错形成能:岛边缘产生位错 释放应变能，变成熟化岛(ripened island) 受动力学生长因素控制，熟化岛有一定尺寸和密度 经典热力学平衡理论： 异质外延成核机制，由衬底和外延层的表面能、界面能决定，未考虑晶格失配带来的应变能。 Daruka和Barabasi，利用热力学平衡理论，深入研究外延生长模式随晶格失配度ε大小、沉积量H等的变化关系，得到外延生长平衡相图。 2.2 薄膜的成核长大动力学 2.2.1 成核长大的物理过程 薄膜成核长大过程相当复杂，它包括一系列热力学和动力学过程，其中的具体过程有： 原子沉积到衬底，从衬底再蒸发， 在衬底、晶核上表面扩散和界面处互扩散， 沉积率R 吸附 再蒸发 表面扩散 成核 互扩散 成核(包括形成各种不同大小、数量不断增多 的亚稳定晶核、临界晶核和稳定晶核)， 长大等过程。 沉积率R 吸附 再蒸发 表面扩散 成核 互扩散 这些过程都是随机过程，需要利用热力学、统计物理和动力学得到描述这些过程的解析公式。 当uABuAA，A原子在B衬底上铺满一层后，在最近邻近似下，第二层A原子的沉积和同质外延相同，只要A原子容易迁移，A薄膜将一层一层地生长。 原则上讲，uABuAA，A原子尺寸和B原子尺寸相同，不发生单层生长后岛状生长模式。 2.1.5 薄膜生长的三种模