电子技术场效应管.pptVIP

本章要求： 场效应管的特点 1.它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 2.它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点， 3.还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 4.在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 结型场效应管的结构如图所示。 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。 1. P 沟道和N沟道结构及电路符号 2.工作等效（以P沟道为例） (3)截止工作 3.JFET的主要参数 1）夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDSS; VGS=0，时的ID 4. 特性曲线： 与三极管相同，场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以N型JFET为例： ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 4.3、绝缘栅型场效应晶体管IGFET（MOS） * * 电子技术基础 第3章 第3章 场效应管及其放大电路 3.1 绝缘栅型场效应管 3.2 场效应管放大电路 场效应管（Field Effec