zno教材薄膜真空镀膜设备的主要性质.pptVIP

* ZnO薄膜的主要性质 晶体结构 未经热处理的ZnO薄膜结晶度较低,呈非晶或多晶态,通常有点缺陷、 线缺陷、层错和晶界等结构缺陷。这些缺陷对薄膜光电性质有显著影响,具体情况请参见真空技术网其它文章。离子束反应溅射ZnO薄 膜沿c轴取向的主要影响因素是基片温度和溅射氧分压,发现基片温度350℃,氧分压为1.3的溅射条件下,得到了完全沿c轴取向 生长的只有(002)晶面的ZnO薄膜。直流磁控溅射ZnO薄膜的晶粒择优取向较差时,晶界应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移 动。Sol-gel法制备的ZnO 薄膜,在500~700℃热退火后的X 射线衍射谱(图5)证实(002)晶面是择优取向生 长的;不同衬底温度下喷雾热解法制备的ZnO薄膜的X射线衍射谱示于图6,(002)晶面取向程度随退火温度的升高而提高。 ，真空镀膜设备/, 编acdb， 图5 Sol-gel 法制备的ZnO薄膜在500~700℃退火后的XRD曲线 图6 不同衬底温度下喷雾热解 法制备的ZnO薄膜的XRD谱 光学性质 ZnO薄膜是理想的透明导电材料,可见光透射率可达90%,电阻率可 低至10-4Ω·cm。AZO(ZnO:Al)薄膜透光率与退火条件有关,如磁控溅射AZO薄膜的透光率在450℃退火后达到最 佳值,为90.6117%,优于ITO(In2O3:Sn)薄膜。Park等人制得透光率为9