联想LCSE初级教材——第05章内存.pptVIP

计算机硬件基础 －－－内存篇 主要内容 5.1 概述 5.2 内存的类型 5.3 内存芯片的封装 5.4 内存模块与插槽 5.5 内存的性能 5.6 内存的相关知识 5.1 概述 存储器分为内存储器与外存储器 内部存储器芯片 主要有四种类型： 5.2 内存的类型 FPM DRAM Fast Page Mode （快速页模式）DARM 支持分页和突发访问模式的DRAM存储器叫做快速页模式内存 1995年及之前的大多数486和Pentium系统都使用FPM内存 EDO DRAM Extended Data Out（扩展数据输出 ） DRAM 允许下一个访问周期与前一个周期重叠，从而使每个周期大约节省10ns 一般是72针的SIMM（Single Inline Memory Module，单内联内存模块）形式 内存的工作电压通常是5V 5.2 内存的类型 SDRAM Synchronous（同步） DRAM 与主板时钟频率保持同步，有PC66、PC100和PC133等几种规范 以DIMM（Dual Inline Memory Module，双内联内存模块）的形式安装在主板上 内存的工作电压通常是3.3V DDR-SDRAM 双倍数据速率（Double Data Rate, DDR）SDRAM 是对标准SDRAM的改进设计 ，DDR内存并不将时钟频率加倍，而是通过在每个时钟周期里传输2次来获得加倍的性能 使用184针的DIMM设计 内存的工作电压通常是2.5V 5.2 内存的类型 DDR2-SDRAM 与DDR相比，最大的区别是数位预取技术的不同 DDR2每次传送数据达到4bit，比DDR每次传送2bit多一倍 工作电压从原来DDR的2.5V降到了1.8V 内存本身集成了信号终结器 通过引入“Posted CAS”功能来解决指令冲突问题 加入了OCD （Off-Chip Driver）技术 ，以防止电压不稳定引起资料丢失 使用新的240针的DIMM设计 5.2 内存的类型 RDRAM 即Rambus DRAM，是一种在1999年后期出现在高端PC系统里的一种内存设计，但因为市场的接受程度不高，目前已经不常见 是一种窄通道设备，一次只传输16位（2个字节）数据（加上两个可选的校验位）。 而DIMM是一种64位宽的设备 内存总线宽度虽然不宽，但速度却很快，同时使用多个通道能将内存总线带宽进一步提高 芯片安装在RIMM里。RIMM的大小和物理形状类似于当前的DIMM，但它们是不能替换的 通道中未插内存模块的RIMM插槽必须插入一个连接模块以保证路径是完整的 5.3 内存芯片的封装 DIP 早期的内存芯片采用此封装 封装的外形呈长方形，针脚从长边引出，具有适合PCB穿孔安装，布线和操作较为方便等特点 由于针脚数量少（一般为8～64针），抗干扰能力极弱 体积比较“庞大” 5.3 内存芯片的封装 SOJ Small Out-Line J-Lead Package 小尺寸J形引脚封装 引脚呈“J”形弯曲地排列在芯片底部四周 SOJ封装一般应用在EDO DRAM 5.3 内存芯片的封装 TSOPⅡ Thin Small Outline Package 薄型小尺寸封装 更适合高频使用，具有较强的可操作性和较高的可靠性 封装厚度只有SOJ的三分之一 封装的外形呈长方形，封装芯片的两侧有I/O引脚，芯片是通过引脚焊在PCB板上 焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热相对困难 5.3 内存芯片的封装 BGA Ball Grid Array Package 球栅阵列封装 具有更小的体积，更好的散热性能和电性能 每平方英寸的存储量有了很大提升 具有更加快速和有效的散热途径 BGA封装以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率 虽然功耗增加，但采用可控塌陷芯片法焊接，可以改善电热性能 寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高 组装可用共面焊接，可靠性高 5.3 内存芯片的封装 Tiny-BGA 是由 Kingmax推出的封装方式 减少了芯片的面积，可以看成是超小型的BGA封装 比起传统的封装技术有三大进步： 更大的容量（在电路板上可以安放更多的内存芯片） 更好的电气性能（因为芯片与底板连接的路径更短，减小了电磁干扰的噪音，能适合更高的工作频率） 更好的散热性能（内存芯片是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去） 5.3 内存芯片的封装 m