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共发射极放大电路-共基极放大电路
4共基极放大电路2 4、
共基放大电路
除了前面已经详细介绍过的共发射极放大电路和共集电极放大电路以外,在一些高频放大电路或其他特殊情况下有时也采用共基极放大电路,如图甲所示。
甲
图中Ee和Re用来给电路设置静态工作点。输入信号经过隔直电容C1加到晶体管的e-b极之间,而c-b极输出,电路的交流通道如图甲(b)所示,由于输出端和输入端以晶体管的基极为公共端,所以叫共基
在共基极电路中,晶体管的输入电流为Ie输出电流为Ic,总有Ic?Ie,所以电路的.....
电流放大倍数??
用价值。 IcIe.总是小于1。但是因为有电压放大作用和功率放大作用,所以仍有实
例如晶体管的re?26?,rb?300?,??49,则共射电路中晶体管的输入电阻
rbe?300??(49?1)?26??? 而共基电路中晶体管的输入电阻reb?300??26??32? (49?1)
可见,共基电路的输入电阻可以做得极低。
从图3-67还可以看到,共基电路的电流放大倍数虽然小于1,但由于它的输入电阻非常小,所以电压放大倍数大体上与共射电路相同。
由于共基接法时的晶体管截止频率f?比共射接法时的截止频率f?高(??1)倍 ,即f??(??1)f?
几乎所有分立元器件的FM收音机,其高频头的第一级电路都是用图1所示的共基极调谐放大器
50%
图1 图2
图中R1、R2是直流偏置电阻。C2、C3容量较大,在工作频段内相当于短路。C1、C4是回路的调谐电容。L1、L2是回路电感,L1、C1构成低Q值的固定调谐回路,覆盖88~108MHz全频段。L2、C4构成选频回路,调谐于接收信号频率。由于LC回路调谐时呈纯阻性,设为R0,R0=Q√(1/C),Q是回路的品质因数。简化图1后可得等效的交流回路,如图2所示。
图1电路工作在低频时,共基极放大器和共发射极放大器具有相近的放大倍数。FM收音机是工作在100MHz左右的高频下,此时三极管共发射极连接时的放大能力大为下降,而共基极时的放大能力却下降甚少,故高频时应采用共基极放大电路。
理论分析表明,舍去繁琐的数学推导,可得以下的结论:
1. 放大系数β随工作频率的增加而迅速下降。通常低频时值为β0,可用仪器测得。高频时值为β,可由公式算得;f越高,β比β0越小。严格讲,β值只适用于计算共发射极放大器的放大倍数。
2. 分析共基极电路,必须用图2的三极管共基极等效电路和共基极电流放大系数α来分析。放大系数α=Ic/Ie,若低频时为α0,高频时为α;则相对于α0,高频时的α下降甚微。
3. 定量关系。共发射极放大器的放大倍数Ke可按下式计算:
Ke=-
式中rbe=rb+re,rb是三极管有效基区的体电阻,re是发射结的正向导通电阻。
共基极放大器的放大倍数Kb为:
Kb=βR0/reb
式中reb=re+rb,是三极管共基极连接时的等效输入电阻,rb和re意义同上。
以下举一实例进行说明。设三极管参数为rb=200Ω,re=21Ω,β0=60,α0=0.98。频率为100MHz时算得β=5.8,α=0.97;集电极回路的谐振电阻R0=530Ω。试计算低频时和100MHz时,两种电路的放大倍数。
低频时:输入电阻rbe=200+×21=1480Ω,reb=21+×200=25Ω;故共发射极放大倍数∣Ke∣=60×=21.5,共基极放大倍数Kb=0.98×=20.8。可见两者绝对值几乎相等。
100MHz时,输入电阻rbe=200+×21=343Ω,reb=21+×200=27Ω;故∣Ke∣=5.8×=9,Kb=0.97×(530 / 27)=19。结果表明两者相差很大。
由以上计算可见,工作于低频时两种电路的放大倍数均为21倍;但在100MHz时,共发射极电路仅能放大9倍,而共基极电路却可放大到19倍。因此,在FM收音机或TV系统中,共基极放大电路得到广泛的应用。
5 分立元件应用时应注意的问题
1、 降额使用
降额使用是在使用分立器件时,有意识地使器件实际所承受的工作条件和环境如:耐压、容许电流、工作频率、温度条件等,合理低于额定限制值。
2、 容差设计
设计产品时应适当放宽器件的参数变化的允许范围。包括制造容差﹑温度漂移﹑时间漂移﹑辐射漂移等,并以此为基础,借助有效的手段进行容差设计.应昼利用计算机辅助设计(CAD)手段进行容差设计.
3 热设计
温度是影响微电路失效率的重要因素.在微电路工作失效率模型中,温度对失效率的影响通过温度应力系数体现,温度应力系数是温度的函数,其形式因微电路和类型而异
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