PIC18F452单片机原理及编程实践(第十四章)PIC18的EEPROM模块编程.ppt

* * FREE Flash的擦除选择位 1 按照TBLPRT指向的flash中程序行进行 擦除操作（完成后自动回零）。 0 仅进行写操作 WRERR 写操作出错标志 1 写操作被提前终止 0 写操作正常完成 EEPGD CFPG --- FREE WRERR WREN WR RD LSB MSB EECON1 寄存器（续1） 返回 * * WREN EEPROM 或 flash 写使能位 1 允许写周期 0 禁止向EEPROM或flash写 WR EEPROM 或 flash写控制位 1 启动写操作（也可启动擦除过程） 0 写操作正常完成 RD 仅用于EEPROM 读控制位 1 启动EEPROM的读操作 0 不启动读操作 EEPGD CFPG --- FREE WRERR WREN WR RD LSB MSB EECON1 寄存器（续2） 返回 * * 14.3.2 写flash的步骤（假设flash已经被擦除） 将要写入flash的数据首地址赋給表指针TBLPTR（21位）； 使用TBLWT指令依次将8B数据写入TABLAT（短写）； 设置EECON1（EEPGD=1、CFGS=0、WREN=1）; 关闭所有中断（BCF INTCON,GIE）； 将55H写入EECON2（长写入的开始）； 将AAH写入EECON2; 使用BSF EECON1,WR（在WR=1期间写周期开始）； 将8B数据写入flash需要2ms，此时CPU停止工作。 当写过程结束时 WR=0 表明长写过程结束。 * * 写flash的编程（汇编语言） 将“GOOD BYE”写入到ROM的400H开始的空间，并读出显示在PORTB端口上。 COUNT EQU 20H ORG 0000H MOVLW 0x00 ;为TBLPTR赋值0400H MOVWF TBLPTRL MOVLW 0x04 MOVWF TBLPTRH MOVLW A’G’ ;开始8B数据短写操作 MOVWF TABLAT TBLWT*+ * * MOVLW A’O’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ MOVLW A’O’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ MOVLW A’D’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ MOVLW A’ ’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ MOVLW A’B’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ * * MOVLW A’Y’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ MOVLW A’E’ MOVWF TABLAT TBLWT*+ MOVLW 0x00 ;重新为TBLPTR赋值0400H MOVWF TBLPTRL MOVLW 0x04 MOVWF TBLPTRH BSF EECON1,EEPGD ;设定EECON1，选择flash BCF EECON1,CFGS ;选择flash或EEPROM BSF EECON1,WREN ;使能写操作 BCF INTCON.GIE ;关闭全局中断 * * MOVLW 0x55 ;PIC所特有的五指令序列 MOVWF EECON2 MOVLW 0xAA MOVWF EECON2 BSF EECON1,WR ;开始长写操作（需要2mS） ;CPU停止指令的读取 NOP ;直到WR=0 BSF INTCON,GIE BCF EECON1,WREN MOVLW 0x00 ;重新为TBLPTR赋值0400H MOVWF TBLPTRL MOVLW 0x04 MOVWF TBLPTRH * * CLRF TRISB MOVLW 0x08 MOVWF COUNT OVER TBLRD*+ ;读数据 MOVFF TABLAT,PORTB CALL DELAY DECF COUNT,F BNZ OVER 如果处理的数据不满8B，空余位不受影响。 * * 14.3.3 擦除flash的步骤 与flash写操作不同，对flash擦除时按照64B为一个基本单位进行的（即TBLPTR指针的低6位全为0）。 将64B的flash单元清零的操作步骤如下： 为指针TBLPTR赋值（低6位为零）； 设定EECON1（EEPGD=1、CFGS=0、WREN=1、FREE=1）; 屏蔽所有中断； 使用五指令序列开始擦除过程； 擦除操作需要2ms时间，此时CPU不执行指令； 重新使能所有中断。 * * 擦除fl