雷电防护新标准评述-20141205.ppt

  1. 1、本文档共53页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
设备位置 电源处的设备 配电线路和最 后分支线路的设备 用电设备 特殊需要保护 的设备 耐冲击电压类别 Ⅳ类 Ⅲ类 Ⅱ类 Ⅰ类 耐冲击电压额定值UW(KV) 6 4 2.5 1.5 Ⅰ类——含有电子电路的设备,如计算机、有电子程序控制的设备 Ⅱ类——含家用电器和类似负荷 Ⅲ类——如配电盘、断路器,包括线路、母线、分线盒、开关、插座等固定装置的布线系统,以及应用于工业的设备和永久接至固定装置的固定安装的电动机等的一些其他设备 Ⅳ类——如电气计量仪表、一次性过流保护设备、滤波器。 建筑物内220/380V配电系统中设备绝缘耐冲击电压额定值 ★4、IEC62305-2010、GB50057-2010、GB50343-2012和 GB50689-2011关于SPD选择的探讨 三标准关于Up对应的UW要求是相同的 50057、50343要求电源引入总配电箱处SPD保护水平Up≤2.5kV。与表6.4.4中III类、IV类要求不同。 Up小有益于保护设备,但Up不是越小越好,考虑TOV等因素应恰当选取,与被保护设备匹配。 Up/f概念三个标准大同小异,工程上应注意SPD引线长度,短且直。 ★4、IEC62305-2010、GB50057-2010、GB50343-2012和 GB50689-2011关于SPD选择的探讨 4.2 通流量的选择Iimp、In、Imax 应根据LPL类型选择SPD的通流能力 IEC 62305:2010、GB 50057-2010给出浪涌 过电流预期值 GB 50343-2012、GB 50689-2011给出标称 放电电流和最大放电电流的参数值 ★4、IEC62305-2010、GB50057-2010、GB50343-2012和 GB50689-2011关于SPD选择的探讨 IEC 62305-2010 表E.2 雷击低压系统浪涌过电流的预期值 LPL 低压系统 直接和间接雷击服务设施 雷击建筑物附近 雷击建筑物 损害源S3(直接雷击) 电流波形: 10/350μs(kA) 损害源S4(间接雷击) 电流波形: 8/20μs(kA) 损害源S2(感应电流) 电流波形: 8/20μs(kA) 损害源S1(感应电流) 电流波形: 8/20μs(kA) III-IV 5 2.5 0.1 5 II 7.5 3.75 0.15 7.5 I 10 5 0.2 10 IEC 62305-2010 表E.3 雷击通信系统浪涌过电流的预期值 LPL 通信系统 直接和间接雷击服务设施 雷击建筑物附近 雷击建筑物 损害源S3(直接雷击) 电流波形: 10/350μs(kA) 损害源S4(间接雷击) 电流波形: 8/20μs(kA) 损害源S2(感应电流) 电流波形: 8/20μs(kA) 损害源S1(感应电流) 电流波形: 8/20μs(kA) III-IV 1 0.1 0.1 5 II 1.5 0.15 0.15 7.5 I 2 0.2 0.2 10 注:每条导线的所有过电流数值。 GB 50057-2010 表5 预期雷击的电涌电流 建筑物防雷类别 闪电直接和非直接击在线路上 闪电击于建筑物附近 闪电击于建筑物 损害源S3 (直接闪击) 损害源S4 (非直接闪击) 损害源S2 (所感应的电流) 损害源S1 (所感应的电流) 10/350μs 波形(kA) 8/20μs 波形(kA) 8/20μs 波形(kA) 8/20μs 波形(kA) 低压系统 第三类 5 2.5 0.1 5 第二类 7.5 3.75 0.15 7.5 第一类 10 5 0.2 10 电信系统 第三类 1 0.035 0.1 5 第二类 1.5 0.085 0.15 7.5 第一类 2 0.160 0.2 10 GB 50343-2012 表5.4.1-2 电源线路浪涌保护器标称放电电流参数值 雷电防护等级 总配电箱 分配电箱 设备机房配电箱和需要特殊保护的 电子信息设备端口处 LPZ 0与LPZ 1边界 LPZ 1与LPZ 2边界 后续防护区的边界 10/350μs Ⅰ类试验 8/20μs Ⅱ类试验 8/20μs Ⅱ类试验 8/20μs Ⅱ类试验 1.2/50μs和8/20μs 复合波 III类试验 Iimp(kA) In (kA) In (kA) In(kA) Uoc(kV)/Isc(kA) A ≥20 ≥80 ≥40 ≥5 ≥10/≥5 B ≥15 ≥60 ≥30 ≥5 ≥10/≥5 C ≥12.5 ≥50 ≥20 ≥3 ≥6/≥3 D ≥12.5 ≥50 ≥10 ≥3 ≥6/≥3 GB 50689-2011 表9.3.

文档评论(0)

159****4779 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档