平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型.pdfVIP

第 22 卷 　第 2 期 发 　光 　学 　报 Vol 22 No. 2 2001 年 6 月 CHIN ESE J OURNAL OF L UM IN ESCENCE J une , 2001 平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型 廖任远 , 蔡淑惠 , 郑永梅 , 王仁智 , 李书平 ( 厦门大学 物理系 , 福建 厦门　361005) 摘要 : 将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势 amv 来研 究带阶参数 Emv 随应变状态的变化关系 ,发现平均带阶参数 Emv. av = Em - Ev. av在不同应变状态下基本上保持 不变。因此 ,在应变层带阶参数 Emv 的计算中 ,只需计算其发生应变前体材料的带阶参数 Emv. 0 值并引用形变 势 b 和 SO 裂距 Δ 的实验值 ,通过简便的代数运算即可得到应变层的 E 值 ,从而方便地预言不同应变层异 0 mv Δ 质结的价带带阶。本文引入带隙形变势 a Gap 来描述带隙改变量 Eg 随应变状态的变化。由导带带阶和价带 Δ Δ Δ 带阶的关系 Ec = Eg + Ev 可以求出不同应变情况下的导带带阶。 关 　键 　词 : 带阶 ; 平均键能 ; 异质结 中图分类号: O4723 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2001) 面处“对齐”。该方法已在一系列的半导体异质结 1 　引　　言 带阶的实际计算中获得比较准确的结果[6 ] 。在 ( 目前, “固体模型”model solid theory , 简写 平均键能方法中 ,我们采用某种能带计算方法分 ) [1 ] ( MST 和“中性能级”charge neutrality level 简写 别计算得到 A , B 两种材料的能带结构 En ( k) 之 NCL) 方法是有影响性的两种重要的异质结带阶理 ( ) ( ) 后 ,把 A 材料 或 B 材料 En k 的 4 个价带与 4 论计算方法。Van de Walle 将异质结带阶的“固体 个较低导带的本征值对整个布里渊区求和取平均 [1 ] 模型”理论计算方法 推广应用于应变层的带阶的 ( ) 值 ,并称之为 A 材料 或 B 材料 的平均键能 计算并报道了他们系统的研究结果[2 ] ; Ohler 等 Em ,即: [3 ] 人 最近也采用与上述类似的做法 ,将 Tersoff 建 8 [4 ] 1 立的异质结带阶的“中性能级”理论计算方法 应