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时正逆填大于小于或等于时逆时逆填大于小于或等于理由是若平衡时溶液的则该反应的平衡常数为全卷第题全国卷分三氯氢硅是制备硅烷多晶硅的重要原料回答下列问题在常温常压下为易挥发的无色透明液体遇潮气时发烟生成等写出该反应的化学方程式在催化剂作用下发生反应则反应的时反应的平衡转化率平衡常数保留位小数在下要提高转化率可采取的措施是要缩短反应达到平衡的时间可采取的措施有对于反应采用弱碱性阴离子交换树脂催化剂在和时的转化率随时间变化的结果如图所示比较处反应速率大小填大于小于或等于反应速率正逆正逆分别为正逆向反应速
②tm时,v正_____ v逆(填“大于”“小于”或“等于”)。③tm时v逆_____ tn时v逆(填“大于”“小于”或“等于”),理由是_____________。④若平衡时溶液的pH=14,则该反应的平衡常数K为___________。 2018全Ⅲ卷 第28题 (2017全国Ⅲ卷28,15分)三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题: (1)SiHCl3在常温常压下为易挥发的无色透明液体,遇潮气时发烟生成(HSiO)2O等,写出该反应的化学方程式__________。 (2)SiHCl3在催化剂作用下发生反应: 2SiHCl3(g) = SiH2Cl2(g)+ SiCl4(g) ΔH1=48 kJ·mol?1 3SiH2Cl2(g) = SiH4(g)+2SiHCl3 (g) ΔH2=?30 kJ·mol?1 则反应4SiHCl3(g) = SiH4(g)+ 3SiCl4(g)的 ΔH=____kJ·mol?1。 ①343 K时反应的平衡转化率α=_________%。平衡常数K343 K=__________(保留2位小数)。 ②在343 K下:要提高SiHCl3转化率,可采取的措施是___________;要缩短反应达到平衡的时间,可采取的措施有____________、___________。 (3)对于反应2SiHCl3(g) SiH2Cl2(g)+SiCl4(g),采用弱碱性阴离子交换树脂催化剂,在323 K和343 K时SiHCl3的转化率随 时间变化的结果如图所示。 ? ③比较a、b处反应速率大小:va________vb(填“大于”“小于”或“等于”)。反应速率v = v正?v逆 = ,k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数,x为物质的量分数,计算a处的 =_____ ___(保留1位小数)。 反应原理题 命题趋势 形式:化学平衡为主,通过某一种物质(气体 、溶液)相关性质进行挖掘,上下左右延伸提问,作答有9空,14或15分。 考点: (1)信息方程式的书写; (2)盖斯定律及反应热( ⊿H )计算; (5)速率变化及原因(机理),平衡标志,平衡移动(原理)分析; (6)平衡图像(分析曲线图); (7)速率计算、转化率计算、平衡常数计算(浓度平衡常数、压力平衡常数、Kw、Ka或Kb、Ksp)等。 五、选考题 35题 (选三)物质结构与性质 36题 (选五)有机化学基础 35题 (选三)物质结构与性质命题趋势 2016年全国Ⅲ卷 第36题 【化学-选修3:物质结构与性质】(15分) 砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题: (1)写出基态As原子的核外电子排布式 . (2)根据元素周期律,原子半径Ga As,第一电离能Ga As.(填“大于”或“小于”) (3)AsCl3分子的立体构型为 ,其中As的杂化轨道类型为 . (4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是 . (5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρ g?cm﹣3,其晶胞结构如图所示.该晶体的类型为 ,Ga与As以 键键合.Ga和As的摩尔质量分别为MGa g?mol﹣1和MAs g?mol﹣1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 . 2017年全国Ⅲ卷 第35题 【化学-选修3:物质结构与性质】(15分) 研究发现,在CO2低压合成甲醇反应(CO2+3H2= CH3OH+H2O)中,Co氧化物负载的Mn氧化物纳米粒子催化剂具有高活性,显示出良好的应用前景。回答下列问题:(1)Co基态原子核外电子排布式为__________。元素Mn与Co中,第一电离能较大的是_________,基态原子核外未成对电子数较多的是__________。(2)CO2和CH3OH分子中C原子的杂化形式分别为__________和__________。(3)在CO2低压合成甲醇反应所涉及的4种物质中,沸点从高到低的顺序为_______________,原因是____
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