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2019-08-04 发布于天津
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碳化硅并联均流的研究王珩宇吴新科郭清盛况浙江大学电气工程学院杭州摘要碳化硅材料是一种新型宽禁带半导体材料本文对这一种新型器件的并联均流情况进行了研究其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试并利用此平台随机选取了两块分别在静态和动态情况下观察了其均流情况同时还在相同条件下测试了以进行对比通过实验测试与分析本文认为目前器件的离散度较大同时动态不均流问题在开关速度较快比如高达的情况下会加重关键词碳化硅双脉冲测试并联均流引言近年来出现了许多新型宽禁带半导体材料包括等这些材料对器件的性能有较大的提升为

碳化硅MOSFET并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1 （1浙江大学电气工程学院，杭州 310027）摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiC MOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况，同时还在相同条件下测试了Si IGBT以进行对比。通过实验测试与分析，本文认为目前SiC MOSFET器

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