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测量样品电阻率 1、 单晶硅样品的处理 首先将样品测试面进行研磨或喷砂处理，以增大表面复合，减少少 数载流子注入的影响。其中以喷砂处理的表面较好，在喷砂处理的表面进行电阻率测量 时，重复性能好，尤其对高阻单晶。经表面处理后的单晶表面，要用酒精棉擦洗干净， 不要有水渍，不要用汗手摸拭样品测试表面。当样品与室温等温时立即进行测量，并且 样品处理和测试时间间隔不宜过长。 2、 测探针系数 C 将探针间距代入以下公式式算出探针系数 C. 1 1 1 1 1 C 2(    ) S1 S3 S1 S2 S2  S3 3、 调节恒流源使电流 I 等于 C。应保证通过样品的电流 I 满足使探针 2、3 的点位差不超过 100mV. 4、 由电位差计或数字电压表直接读出样品的电阻率。每次测样品时，电流换向一次，取正 反两个方向所得电阻率的平均值作为测量结果。 5、 为了测得准确的电阻率，要在恒温室中进行测量。恒温室温度的波动范围在 23℃±2℃， 相对湿度小于