BST铁电薄膜的制备.pptVIP

主要内容 1. 绪论1.1 铁电材料概述 铁电材料的应用研究进展 1952年贝尔电话实验室首次提出利用铁电材料的两个极化方向来实现计算机存储器中0和1的编码操作，制作铁电存储器 90年代初，随着微电子工业和集成工业的进步。几乎每隔几年，铁电存储器的生产就有一个突破性的进展 1994年，美日联合开发的Bi系层状结构的材料SrBi2Ta2O9制成的256KB存储器 目前，国际上许多大型半导体公司都十分重视FeRAM的研究 1.2 PZT材料结构特征 1.3 PZT铁电薄膜的制备技术 溅射法 激光闪蒸 真空蒸发 化学气相沉积（CVD） 金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法 溶胶－凝胶（Sol-Gel）法 SOL-GEL法制备铁电薄膜的优点 能精确控制薄膜的组分，能制备大面积高质量薄膜 组分具有高度的均匀性 易于调整组分，易于进行微量、均匀掺杂 设备简单，成本低，适于产业化生产 2. PZT铁电薄膜制备 PZT薄膜的制备流程 计算出各原材料的质量或体积 乙酸铅＋乙二醇甲醚，120℃回流加热30min 硝酸锆＋乙二醇甲醚，加热搅拌 钛酸四丁酯＋乙二醇甲醚，与上述两溶液混合 搅拌12h后，定容、过滤 ITO/glass基片上以3000～5000r/min的速度匀胶30s 400℃热处理4 min，500?600℃退火处理4 min 重复6、7步，最后一层在氧气气