铜铟镓硒太阳能电池.ppt

CuIn0.7Ga0.3Se2表征 溅射硒化法优点 可以比较精确的调节各元素的化学配比 薄膜的致密性高，使用寿命长 原材料的利用率高，对不需要沉积薄膜的地方加以屏蔽，可减少对真空室的污染 薄膜均匀性较好，有利于制造大面积CIS电池 步骤四应用的固态源硒化法。这一方式可避免使用剧毒的H2Se气体，因此操作更加安全，设备也相对简单。 国内外工业制法的发展现状 国外：目前全球有30多家公司置身于CIGS产业，但真正进入市场开发的公司只有德国的Wuerth（伍尔特）、Surlfulcell，美国的Global Solar Energy，日本的Honda（本田）、Showa Solar Shell。2006年、2007年世界CIGS电池组件产能分别为17.5MW、60.5MW，在世界光伏市场上占据的份额很小。 国内：中国的CIGS产业远远落后于欧美和日本等国家和地区，南开大学以国家“十五”“863”计划为依托，建设0.3MW中试线，现已制备出30cm×30cm效率为7%的集成组件样品。2008年2月，山东孚日光伏科技有限公司宣布与德国的Johanna合作，独家引进了中国首条CIGSSe（铜铟镓硫硒化合物）商业化生产线。 发展铜铟镓硒太阳能电池遇到的阻碍 实验室研究所遇到的阻碍 薄膜中第二相的存在是影响CIS光电性能的主要原因 。在CIS材料的制备中常出现如CuXSe等第二相。当第二相存在于晶粒间时，将有效阻止载流子在晶粒间的运动，减小载流子的效率。 电池串联电阻是太阳电池功率损耗的一个重要因素 。通过理论计算分析，结果表明电池窗口层横向电阻、本征层i-ZnO电阻和基区体电阻是电池串联电阻的主要来源，分别占电池总的串联电阻的45．7％、26．6％、21．3％． 工业量化生产面对的阻碍 原材料In的稀缺性。 缓冲层CdS具有潜在的毒性。无Cd缓冲层的工艺是目前研发的重点。 制程复杂，投资成本高。 CIGS电池结构改进的探索 更换太阳能电池的衬底 采用双面照射。 为了改善背面照射时电池的效率，可以通过降低吸收层CIGS的厚度，使得吸收层产生的光生载流予能够到达异质结的耗尽区，从而被电场分离，提高短路电流，从而提高电池的转换效率。 我国CIGS太阳能电池的发展前景 资源上：在CIGS太阳能电池的所有膜系结构中，涉及Mo、ZnO、AI、ZnS、MgO以及Cu、In、Ga、Se等材料。除了In以外，都不是稀缺材料。我国In的产量和已探明的储量占世界的六分之一，说明在我国发展CIGS太阳能技术在资源上具有优势和可行的。 成本：根据日本NEDO太阳光发电技术研究组合战略企划委员会的预测，到2010年CIGS太阳能电池板的价格可以达到75日元／W(相当于5RMB／W)。根据CIGS太阳能电池的长寿命特点(有人预测100年)，若以30年寿命计算，并保守地考虑电池板(组件)的光电转化率为13％，其成本为人民币0.25元／度，此价格可以与普通民用电价格相当。说明发展CIGS技术在成本上是具有较强的市场竞争力。 技术上：我国要发展CIGS薄膜太阳电池技术产业，应以自主创新为主题，与国内外设备厂商分别开发设备与工艺，整体组合集成创新是快速发展的有效模式。 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 仅在数年以前，薄膜光伏 技术在光伏产业中还只能用“微不足道”来形容，但在今天，其生产份额不断扩张。 薄膜太阳能电池目前主要分为非晶硅薄膜太阳能电池、碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池、铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池三类。 2005-2010年薄膜太阳能电池 薄膜电池与传统硅晶电池的比较 传统硅晶电池：由硅晶体组成,电池主要部分易碎,易产生隐形裂纹,大多有一层钢化玻璃作为防护,造成重量大,携带不便,抗震能力差,造价高,效率或多或少降低 薄膜电池：克服了上述缺点，重量轻,厚度薄.可弯曲,易携带,克服了上述缺点,但并没有传统硅晶电池转化效率高. 铜铟镓硒（CIGS）具有薄膜光伏的所有优点，性能稳定、抗辐射能力强，光电转换效率目前是各种薄膜太阳电池之首，接近于目前市场主流产品晶体硅太阳电池转换效率，成本却是其1/3。被国际上称为下一代的廉价太阳电池 我们先来看另外一种物质，CuInSe2具有较大的化学组成区间,这意味着即使偏离定比组成1:1:2，该材料依然具有黄铜矿结构以及相似的物理和化学性质-再者CuInSe2甚至可以直接由其化学组成的调变得到,P型(Cu比例大)或N型’(In比例大)而不必借助外加杂质以上两者使得CuInSe2具有非常优良的抗干扰,耐辐射能力0因而没有-光辐射引致性能衰退效应,使用寿命长。 CIGS就是在CuInSe2基础上掺杂Ca元素使Ca元素部分取代同族的In原子,通过调节Ca/(In+Ga)可以改变CIGS的带隙，