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ZnO薄膜在光电子学中的研究与应用 平板显示中心 吴晓亮 目录： ZnO的基本性质及能带结构 ZnO的缺陷、掺杂、合金及能带工程 ZnO薄膜的制备技术 ZnO在显示领域的应用 ZnO半导体器件 ZnO的纳米结构 ZnO的纳米结构应用 ZnO的基本性质 ZnO热力学稳定相为钎锌矿结构，宽带隙3.37eV（常温），缺乏中心对称性，对可见光透明。纤锌矿常温具有较大激子束缚能60meV，本证载流子浓度106cm-3,电子迁移率200cm2/(V.s),空穴迁移率5~50cm2/(V.s) ZnO的能带结构 ZnO 直接带隙 宽禁带3.37eV 由于六方纤锌矿结构对称性较低，ZnO能带较复杂。其价带导带的能隙有O-2p,Zn-4s态决定 对ZnO能带的深入研究最早是Thomas，后来Shindo和Lambrecht等人作了进一步研究之后，人们对ZnO的能带结构做了更深入的探索，为ZnO能带工程打下良好基础。 ZnO的缺陷 错位与晶界 ZnO薄膜中存在原生层错和扩展位错、ZnO薄膜中退火诱生的层错及晶界 本征点缺陷 氧空位、锌空位（绿光）、氧间隙、锌间隙、反位缺陷 其中.氧空位和锌间隙之类的“缺氧”环境对ZnO的P型掺杂是非常不利的。 ZnO中的氢杂质 氢在ZnO中作为施主，对P性掺杂不利 ZnO的掺杂 AZO、GZO、IZO最常见，为N型掺杂 另外，掺B，掺N、P、As、Sb等V族元素，