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双排直列封装 2.3 晶振电路 提供MCU工作的时钟基本脉冲。 XTAL振荡器的输出引脚, EXTAL振荡器的输入引脚。 XCLKS(PE7)=1时,因有内部上拉,复位默认 XCLKS(PE7)=0时的两种接法:(XS128) 2.4 S12XS128的最小系统电路设计 2.5 系统复位、运行监视与时钟选择 三种时钟: OSCCLK PLLCLK SCM: 内部自给时钟,MCU启动后默认是关闭,误差大。 MCU工作的总线时钟可以使用默认的外部时钟,也可以选择使用来自内部锁相环的时钟,以获得更高的总线时钟频率。 此时需要在MCU最开始初始化时设置时钟合成寄存器和时钟分频寄存器以确定PLL时钟频率,然后设置时钟选择寄存器的控制位PLLSEL=1,从而选定PLL时钟,而不用复位默认的外部时钟。 锁相环产生的时钟频率可由下面的公式得到: fPLLCLK= 2 × fOSCCLK × (SYNR+1) / (REFDV+1) 式中:fOSCCLK为振荡器频率;SYNR为时钟合成寄存器的值;REFDV为时钟分频寄存器的值。 例如,当S12X16MHz外部晶振频率时,若将SYNR设为2,REFDV设为1,就可以得到48MHz的锁相环时钟频率和24MHz的总线频率 2.6 存储器 ROM(Read Only Memory ):只读存储器 RAM(Random Access Memory ):随机存取存储器 MCU常用的存储器: ROM程序存储器;非易失;不能更改 RAM数据存储器;掉电丢失数据;可读/写 EPROM紫外线擦除。非易失;可反复擦写,擦写速度慢 EEPROM电擦除。非易失;可反复擦写,擦写速度稍慢 FLASH ROM闪存,更高级的EEPROM。非易失;可反复擦写并允许在线编程;更高速、更方便、容量大.简称Flash. 在Freescale S12X比较新出的MCU中,有DataFlash取代EEPROM的趋势 2.6.1 存储器空间组织与分配 XS128的存储器资源:8KB RAM、8KB DataFlash、128KB Flash。 Freescale单片机的存储器结构采用冯.诺依曼RAM、ROM统一编址,不同于51单片机。 编址范围:64KB($0000~$FFFF,每存储单元存8位信息) 空间覆盖:I/O寄存器 1KB,RAM 8KB,DataFlash 8KB (EEPROM) FLASH 128KB(页面扩展机制) 2.6.2 存储器地址映射管理 作为初学者或者默认存储器地址映射可以满足使用时,可以不改动默认的映射空间。当需要改变或者需要用到足量的RAM,或者是需要使用更大RAM、Flash、DataFlash容量时,必须重新配置相关的映射管理寄存器。 相关寄存器设置…… 2.7 中断系统 2.7.1 中断源 分3大类: 1. 复位中断 特殊的中断,不返回原来的程序,一切重新开始 任何时候都是不可屏蔽的,具有复位事件发生后强制执行的能力 S12(X)的复位向量有3个,但能触发复位的动作能有4个: 上电复位、外部复位、时钟监视复位、看门狗定时器溢出复位 2. 特殊中断 非法指令陷阱中断、软件中断(SWI)和外部中断(/XIRQ) 不可屏蔽中断。 稍不同:外部中断( /XIRQ )可以在系统复位初始化时通过设置CCR寄存器的中断屏蔽位X来进行屏蔽或开放设置。 3. 普通中断 大量的其它类型的中断,共有47个中断源: 如:外部中断以及时钟、定时器、并行I/O口、SCI/SPI/CAN接口、A/D等内部功能部件的中断。。。 可屏蔽中断,即可以通过设置CCR的I位进行打开和关闭。 注:I位全局可屏蔽中断的打开/关闭控制,局部另设 2.7.2 中断向量 向量机制,实现对中断的管理和处理: 在$FF80~$FFFF地址空间(属于Flash空间)中设置了一个向量映射表,每一个向量对应一种中断的处理程序的入口地址。MCU在中断响应时,依据中断信号的来源在中断向量表中对应的位置取得中断向量的2个字节地址即读取中断处理程序的入口地址,进而依此地址转到相应的中断服务程序。 向量表中的每个向量占用2字节空间,$FF10~$FFFF共占近256个字节地址 S12X
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